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RH7P04BBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7P04BBKFRATCB
Price: 9.38 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RH7P04BBKFRATCB

Fabricante N.º:

RH7P04BBKFRATCB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 N CHAN 100V

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	S/9.38	S/9.38
	S/6.03	S/60.30
	S/4.13	S/413.00
	S/3.28	S/1,640.00
	S/3.05	S/3,050.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/2.68	S/8,040.00
	S/2.63	S/15,780.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	13.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	19.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	75 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	19 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7P04BBKFRA 100V N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N-Channel Power MOSFET is a 100V drain-source voltage (V_DSS) and ±40A continuous drain current (I_D) rated automotive-grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. The drain-source on-state resistance [R_DS(ON)] is 13.8mΩ (max.) (V_GS = 10V, I_D = 20A) and comes in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA MOSFET is ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.