AIKQ120N75CP2XKSA1

Infineon Technologies
726-AIKQ120N75CP2XKS
AIKQ120N75CP2XKSA1

Fabricante:

Descripción:
IGBTs DISCRETE SWITCHES

Modelo ECAD:
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En existencias: 106

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/39.66 S/39.66
S/28.45 S/284.50
S/25.18 S/2,518.00
S/23.98 S/11,510.40

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
Through Hole
Single
750 V
1.3 V
- 20 V, 20 V
150 A
682 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: IGBTs
Alias de las piezas n.º: AIKQ120N75CP2 SP005416548
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AIKQ120N75CP2 Duo Pack EDT2™ IGBT

Infineon Technologies AIKQ120N75CP2 Duo Pack EDT2™ IGBT features a 750V collector-emitter blocking voltage capability. The AIKQ120N75CP2 has smooth switching characteristics, a very low VCE(sat), 1.30V (typ.), and a very tight parameter distribution. The device also has a low gate charge QG and is co-packed with a fast soft recovery emitter controlled by 3 diodes.