PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Qg and RDS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 7A
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No en existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 20A N-CH POLAR
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 36A N-CH POLAR
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Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
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Plazo de entrega 28 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3