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RF6G035BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF6G035BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF6G035BGTCR
Price: 2.65 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RF6G035BGTCR

Fabricante N.º:

RF6G035BGTCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 N-CH 40V 3.5A

Hoja de datos:

RF6G035BGTCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/2.65	S/2.65
	S/1.60	S/16.00
	S/1.02	S/102.00
	S/0.794	S/397.00
	S/0.712	S/712.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.553	S/1,659.00
	S/0.518	S/3,108.00
	S/0.467	S/4,203.00
	S/0.463	S/11,112.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363T-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	46 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	3.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	11 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns

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RF6G035BGTCR Hoja de datos

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RF6G035BG Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF6G035BG Power MOSFET features 40V drain-source voltage (V_DSS) and ±3.5A continuous drain current (I_D). This N-channel MOSFET offers 46mΩ low on-resistance (R_DS(on)) and power dissipation of 1W (P_D). The RF6G035BG MOSFET operates within the -55°C to 150°C operating junction and storage temperature range and is available in a Halogen-free, small surface mount package (TUMT6 or SOT-363T). This RoHS-compliant device incorporates Pb-free plating. The RF6G035BG power MOSFET is suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.