Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 17

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

FDBL86563-F085
onsemi
1: S/22.65
3,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86563-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86563_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench

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Hoja de datos

3,440En existencias

Cinta cortada

S/22.65

S/16.85

S/12.18

S/11.29

S/10.51

Envase tipo carrete

S/10.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

240 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86363-F085
onsemi
1: S/22.38
3,965En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86363-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86363_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

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3,965En existencias

Cinta cortada

S/22.38

S/14.95

S/10.70

S/9.65

S/8.99

Envase tipo carrete

S/8.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench

FDD86567-F085
onsemi
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2,652En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86567-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86567_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK<BR>N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

2,652En existencias

Cinta cortada

S/13.08

S/8.52

S/5.92

S/4.79

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH041N65F-F085
onsemi
1: S/60.96
358En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH041N65F-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FCH041N65F_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

Hoja de datos

358En existencias

S/60.96

S/37.48

S/36.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

76 A

96 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

234 nC

- 55 C

+ 150 C

595 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

FDBL86366-F085
onsemi
1: S/17.56
2,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86366-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86366_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET

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Hoja de datos

2,691En existencias

Cinta cortada

S/17.56

S/11.60

S/8.17

S/6.97

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

220 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH077N65F-F085
onsemi
1: S/46.09
888En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH077N65F-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FCH077N65F_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET

Hoja de datos

888En existencias

S/46.09

S/26.86

S/25.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

184 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

126 nC

- 55 C

+ 150 C

481 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86361-F085
onsemi
1: S/27.91
5,753En existencias
4,000Se espera el 16/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86361-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86361F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL<BR>N-Channel PowerTrench

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Hoja de datos

5,753En existencias

4,000Se espera el 16/06/2026

Cinta cortada

S/27.91

S/18.84

S/13.66

S/13.20

Envase tipo carrete

S/12.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK
N-Channel PowerTrench

FDB86563-F085
onsemi
1: S/21.14
3,799En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDB86563-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDB86563_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK<BR> N-Channel PowerTrench

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3,799En existencias

Cinta cortada

S/21.14

S/14.05

S/10.04

S/9.61

Envase tipo carrete

S/8.91

S/8.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-2

N-Channel

1 Channel

60 V

110 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

FDBL86210-F085
onsemi
1: S/27.91
4,004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86210-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86210_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A

Hoja de datos

4,004En existencias

Cinta cortada

S/27.91

S/18.80

S/13.66

S/13.62

S/13.16

Envase tipo carrete

S/12.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

169 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench

FDBL86561-F085
onsemi
1: S/26.20
3,946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDBL86561-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86561F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL<BR> N-Channel PowerTrench

Obtenga más información

Hoja de datos

3,946En existencias

Cinta cortada

S/26.20

S/17.59

S/12.73

S/11.87

S/11.05

Envase tipo carrete

S/11.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

429 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

FDD13AN06A0-F085
onsemi
1: S/8.99
10,672En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD13AN06A0-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD13AN06A0-F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab

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Hoja de datos

10,672En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.80

S/3.93

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

FDD86367-F085
onsemi
1: S/11.99
3,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86367-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86367_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

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Hoja de datos

3,176En existencias

Cinta cortada

S/11.99

S/7.36

S/5.45

S/4.40

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

FDD86369-F085
onsemi
1: S/9.30
3,939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDD86369-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD86369_F085

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

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Hoja de datos

3,939En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.99

S/4.09

S/3.24

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

FDD9409-F085
onsemi
1: S/9.50
1,129En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDD9409-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDD9409_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET

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Hoja de datos

1,129En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.19

S/4.24

S/3.49

S/3.39

Envase tipo carrete

S/3.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

FDN5632N-F085
onsemi
1: S/4.32
9,794En existencias
159,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDN5632N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDN5632N-F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

Hoja de datos

9,794En existencias

159,000En pedido

Cinta cortada

S/4.32

S/2.71

S/1.77

S/1.37

Envase tipo carrete

S/1.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9,000

: 3,000

SMD/SMT

SSOT-3

N-Channel

1 Channel

60 V

1.6 A

98 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

1.1 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

FDC5661N-F085
onsemi
1: S/3.85
1,823En existencias
24,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FDC5661N-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FDC5661N-F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,823En existencias

24,000En pedido

Cinta cortada

S/3.85

S/2.41

S/1.56

S/1.20

S/0.981

Envase tipo carrete

S/0.872

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

SSOT-6

N-Channel

1 Channel

60 V

4.3 A

47 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

AEC-Q101

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET

FCH104N60F-F085
onsemi
1: S/29.12
900Se espera el 21/07/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
FCH104N60F-F085

N.º de artículo de Mouser
512-FCH104N60F_F085

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

900Se espera el 21/07/2026

S/29.12

S/16.85

S/15.03

S/14.75

S/13.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

275 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

357 W

Enhancement

AEC-Q101

SuperFET II

Tube

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