Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
IPP111N15N3 G
Infineon Technologies
1:
S/15.10
992 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP111N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
992 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/15.10
10
S/11.29
100
S/9.26
500
S/7.82
1,000
Ver
1,000
S/6.93
2,500
S/6.66
5,000
S/6.54
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
83 A
9.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
55 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8
BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/7.16
14,899 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-BSC070N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8
14,899 En existencias
1
S/7.16
10
S/4.87
25
S/4.71
100
S/3.40
250
Ver
5,000
S/2.18
250
S/3.36
500
S/2.82
1,000
S/2.67
5,000
S/2.18
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
80 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/16.23
1,565 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
1,565 En existencias
1
S/16.23
10
S/11.44
100
S/9.26
1,000
S/7.63
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
120 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
112 nC
- 55 C
+ 175 C
250 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1:
S/15.88
1,881 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB072N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
1,881 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/15.88
10
S/10.43
100
S/7.82
500
S/6.97
1,000
S/5.88
2,000
S/5.57
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
100 A
7.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
1:
S/15.18
2,683 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IP726-B108N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,683 En existencias
1
S/15.18
10
S/10.08
100
S/7.24
500
S/6.58
1,000
S/5.45
2,000
Ver
2,000
S/5.41
10,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
83 A
10.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
41 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N15N3 G
Infineon Technologies
1:
S/13.08
508 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP200N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
508 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/13.08
10
S/8.52
100
S/6.54
500
S/5.45
1,000
Ver
1,000
S/4.67
2,500
S/4.44
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Perú