Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8
BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/8.68
4,818 En existencias
10,000 Se espera el 28/05/2026
N.º de artículo de Mouser 726-BSC070N10NS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8
4,818 En existencias
10,000 Se espera el 28/05/2026
1
S/8.68
10
S/5.22
100
S/3.69
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S/3.01
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Ver
5,000
S/2.50
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2,500
S/2.64
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S/2.50
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
80 A
7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
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83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1:
S/21.99
1,410 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
1,410 En existencias
1
S/21.99
10
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S/9.38
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S/8.76
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Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1:
S/15.80
1,606 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPB072N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
1,606 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/15.80
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Min.: 1 Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
100 A
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
1:
S/15.53
2,624 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IP726-B108N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
2,624 En existencias
1
S/15.53
10
S/9.77
100
S/7.90
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S/6.70
1,000
S/6.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
83 A
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
IPP111N15N3 G
Infineon Technologies
1:
S/19.00
718 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IPP111N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
718 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/19.00
10
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S/8.10
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
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214 W
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OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
IPP200N15N3 G
Infineon Technologies
1:
S/13.08
221 En existencias
500 Se espera el 2/07/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IPP200N15N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3
221 En existencias
500 Se espera el 2/07/2026
Embalaje alternativo
1
S/13.08
10
S/8.52
100
S/6.54
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1,000
S/4.75
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
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150 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Perú