Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
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1
S/15.65
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S/6.93
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
83 A
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- 20 V, 20 V
2 V
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- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
IPB027N10N5ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
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S/23.39
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S/10.39
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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120 A
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8
BSC070N10NS5ATMA1
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TDSON-8
N-Channel
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100 V
80 A
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
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581 En existencias
1,000 Se espera el 6/08/2026
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
150 V
100 A
7.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
IPP111N15N3 G
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718 En existencias
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
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150 V
83 A
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- 55 C
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214 W
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OptiMOS
Tube
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IPP200N15N3 G
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711 En existencias
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
50 A
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- 20 V, 20 V
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OptiMOS
Tube
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