Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW95R060PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/60.68
945En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW95R060PFD7XKSA1

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726-IPW95R060PFD7XKS

Infineon Technologies

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Hoja de datos

945En existencias

S/60.68

S/46.20

S/38.50

S/34.29

S/32.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

74.7 A

60 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

315 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB95R130PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.52
951En existencias
1,000Se espera el 19/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB95R130PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB95R130PFD7ATM

Infineon Technologies

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951En existencias

1,000Se espera el 19/11/2026

Cinta cortada

S/30.52

S/20.44

S/16.43

S/14.60

Envase tipo carrete

S/12.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

950 V

36.5 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB95R310PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.27
1,975En existencias

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IPB95R310PFD7ATMA1

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726-IPB95R310PFD7ATM

Infineon Technologies

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1,975En existencias

Cinta cortada

S/16.27

S/10.67

S/7.94

S/6.66

Envase tipo carrete

S/6.19

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPB95R450PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.91
1,914En existencias

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IPB95R450PFD7ATMA1

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726-IPB95R450PFD7ATM

Infineon Technologies

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1,914En existencias

Cinta cortada

S/14.91

S/9.69

S/6.81

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.29

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

13.3 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPW95R310PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.43
3,360En existencias

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IPW95R310PFD7XKSA1

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726-IPW95R310PFD7XKS

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S/16.43

S/10.74

S/8.02

S/6.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

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IPA95R130PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.48
374En existencias

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IPA95R130PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R130PFD7XKS

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374En existencias

S/30.48

S/20.40

S/16.39

S/14.56

S/12.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

13.9 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

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IPA95R310PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.23
429En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R310PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R310PFD7XKS

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S/16.23

S/10.63

S/7.94

S/6.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

8.7 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 155 C

31 W

Enhancement

Tube

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IPD95R450PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.00
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R450PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450PFD7ATM

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831En existencias

Cinta cortada

S/13.00

S/8.41

S/5.80

S/4.83

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.24

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

13.3 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPW95R130PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.06
318En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW95R130PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW95R130PFD7XKS

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318En existencias

S/31.06

S/20.79

S/16.70

S/14.83

S/13.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

36.5 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

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IPA95R450PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.90
747En existencias

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IPA95R450PFD7XKSA1

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726-IPA95R450PFD7XKS

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747En existencias

S/13.90

S/9.03

S/6.34

S/5.29

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

7.2 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

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