Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB95R310PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.51
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB95R310PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB95R310PFD7ATM

Infineon Technologies

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Hoja de datos

2,000En existencias

Cinta cortada

S/13.51

S/8.80

S/6.19

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.52

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R450PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.74
958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R450PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450PFD7ATM

Infineon Technologies

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958En existencias

Cinta cortada

S/10.74

S/6.97

S/4.79

S/3.93

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

13.3 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB95R130PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/23.20
531En existencias
1,000Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPB95R130PFD7ATMA1

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726-IPB95R130PFD7ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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531En existencias

1,000Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/23.20

S/16.58

S/11.99

Envase tipo carrete

S/9.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

950 V

36.5 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW95R060PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/47.72
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW95R060PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW95R060PFD7XKS

Infineon Technologies

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228En existencias

S/47.72

S/47.49

S/27.48

S/24.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

74.7 A

60 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

315 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

Tube

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IPA95R130PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.89
475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R130PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R130PFD7XKS

Infineon Technologies

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475En existencias

S/22.89

S/12.73

S/11.64

S/9.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

13.9 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

Tube

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IPA95R450PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.55
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R450PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450PFD7XKS

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500En existencias

S/10.55

S/5.22

S/4.79

S/3.85

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

7.2 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Tube

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IPA95R310PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R310PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R310PFD7XKS

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469En existencias

S/13.16

S/6.66

S/5.99

S/4.87

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

950 V

8.7 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 155 C

31 W

Enhancement

Tube

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IPW95R130PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.36
435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW95R130PFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW95R130PFD7XKS

Infineon Technologies

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435En existencias

S/20.36

S/20.20

S/12.42

S/11.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

36.5 A

130 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

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IPW95R310PFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.47
1,200Se espera el 4/05/2026

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IPW95R310PFD7XKSA1

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726-IPW95R310PFD7XKS

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1,200Se espera el 4/05/2026

S/13.47

S/12.92

S/7.24

S/6.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

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IPB95R450PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.34
1,000Se espera el 9/04/2026

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IPB95R450PFD7ATMA1

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726-IPB95R450PFD7ATM

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1,000Se espera el 9/04/2026

Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.88

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.67

S/3.73

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

13.3 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

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