Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 13

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740LCPBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.61
930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740LCPBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRF740LCPBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

930En existencias

S/15.61

S/7.98

S/6.97

S/6.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740PBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.39
4,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740PBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRF740PBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

4,971En existencias

S/10.39

S/6.42

S/4.71

S/3.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740APBF
Vishay Semiconductors
1: S/9.69
12,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740APBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

12,890En existencias

S/9.69

S/5.22

S/4.48

S/3.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740ASPBF
Vishay Semiconductors
1: S/11.48
6,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740ASPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740ASPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

Hoja de datos

6,163En existencias

S/11.48

S/5.68

S/4.75

S/4.28

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740STRRPBF
Vishay Semiconductors
1: S/15.38
211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740STRRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740STRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

Hoja de datos

211En existencias

Cinta cortada

S/15.38

S/10.04

S/7.67

S/5.64

Envase tipo carrete

S/5.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740ALPBF
Vishay Semiconductors
1: S/14.67
1,693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740ALPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740ALPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

1,693En existencias

S/14.67

S/7.43

S/6.73

S/5.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740ASTRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/16.04
1,593En existencias
1,600Se espera el 8/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF740ASTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740ASTRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

Hoja de datos

1,593En existencias

1,600Se espera el 8/06/2026

Cinta cortada

S/16.04

S/10.51

S/7.36

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.98

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740LCPBF
Vishay Semiconductors
1: S/15.61
1,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740LCPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740LCPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

1,784En existencias

S/15.61

S/7.98

S/7.24

S/6.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740PBF
Vishay Semiconductors
1: S/10.04
4,291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740PBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740PBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

4,291En existencias

S/10.04

S/5.06

S/4.36

S/3.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

IRF740SPBF
Vishay Semiconductors
1: S/13.20
1,303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740SPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740SPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp

Hoja de datos

1,303En existencias

S/13.20

S/7.98

S/6.27

S/5.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740STRLPBF
Vishay Semiconductors
1: S/13.82
2,365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740STRLPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740STRLPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

2,365En existencias

Cinta cortada

S/13.82

S/8.99

S/6.46

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

IRF740APBF-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/13.58
5,993Se espera el 13/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF740APBF-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-IRF740APBF-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET

Hoja de datos

Comentarios de Producto

5,993Se espera el 13/07/2026

S/13.58

S/6.85

S/6.19

S/5.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

10 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V

IRF740ASTRRPBF
Vishay Semiconductors
800: S/4.83
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF740ASTRRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRF740ASTRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/4.83

S/4.71

S/4.67

Min.: 800
Mult.: 800

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte