Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

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Resultados: 30

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Panjit
1: S/5.14
5,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4476AP-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4476APAUR2000

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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5,882En existencias

Cinta cortada

S/5.14

S/3.45

S/2.59

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.55

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3470_R1_00001
Panjit
1: S/2.22
5,430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3470_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3470_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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5,430En existencias

Cinta cortada

S/2.22

S/1.37

S/0.919

S/0.666

Envase tipo carrete

S/0.514

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

1.3 A

320 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S-AU_R1_007A1
Panjit
1: S/4.20
2,048En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJA3474S-AU_R1_007A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3474SAUR17A1

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2,048En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.62

S/1.71

S/1.32

Envase tipo carrete

S/1.08

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SOT-23-3

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2.5 A

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- 20 V, 20 V

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4.4 nC

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+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S_R1_00701
Panjit
1: S/3.70
2,680En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PJA3474S_R1_00701

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3474SR100701

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Cinta cortada

S/3.70

S/2.30

S/1.57

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.93

Ver

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.3 A

118 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

4.4 nC

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+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

PSMQC042N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/12.30
5,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC042N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC042N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

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5,679En existencias

Cinta cortada

S/12.30

S/8.64

S/6.31

S/5.14

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-5060-8

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1 Channel

100 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

PSMQC078N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/6.15
5,339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC078N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC078N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

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5,339En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.93

S/2.60

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.37

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-5060-8

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100 V

63 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

30 nC

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+ 150 C

65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

PSMQC098N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/6.23
5,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC098N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC098N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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5,990En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/4.48

S/3.11

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.10

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100 V

60 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

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+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

PSMQC280N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/4.75
7,853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC280N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC280N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

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7,853En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.97

S/1.96

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.25

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MouseReel Disponible

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1 Channel

100 V

21 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

29.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC074N10NS2_R2_00201
Panjit
1: S/8.87
1,610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC074N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC074N10NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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1,610En existencias

Cinta cortada

S/8.87

S/5.68

S/3.85

S/3.21

Envase tipo carrete

S/2.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

64 A

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- 20 V, 20 V

3.8 V

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- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R1_00001
Panjit
1: S/0.74
1,438En existencias
9,000Se espera el 18/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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1,438En existencias

9,000Se espera el 18/02/2026

Cinta cortada

S/0.74

S/0.444

S/0.276

S/0.202

Envase tipo carrete

S/0.125

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

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2.5 V

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+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3471_R1_00001
Panjit
1: S/1.87
13,695En existencias
9,000Se espera el 18/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJA3471_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3471_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

13,695En existencias

9,000Se espera el 18/05/2026

Cinta cortada

S/1.87

S/1.14

S/0.724

S/0.541

Envase tipo carrete

S/0.405

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

100 V

900 mA

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R1_00001
Panjit
1: S/1.13
3,216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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3,216En existencias

Cinta cortada

S/1.13

S/0.677

S/0.424

S/0.315

Envase tipo carrete

S/0.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

PJC7476_R1_00001
Panjit
1: S/1.48
8,167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

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Hoja de datos

8,167En existencias

Cinta cortada

S/1.48

S/0.887

S/0.557

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.308

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N10A_L2_00001
Panjit
1: S/3.81
1,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

1,726En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.49

S/1.68

S/1.32

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD9N10A_L2_00001
Panjit
1: S/2.76
2,720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD9N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD9N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

Hoja de datos

2,720En existencias

Cinta cortada

S/2.76

S/1.72

S/1.11

S/0.845

Envase tipo carrete

S/0.646

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL-AU_L2_000A1
Panjit
1: S/4.79
1,980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N10AL-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N10ALAUL200

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

1,980En existencias

Cinta cortada

S/4.79

S/3.23

S/2.45

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.128
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.128

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.206
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.206

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7476_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.327
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.327

S/0.28

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

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+ 150 C

350 mW

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Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD10P10A_L2_00001
Panjit
1: S/3.78
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD10P10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD10P10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/3.78

S/2.34

S/1.53

S/1.18

S/1.06

Envase tipo carrete

S/0.849

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

100 V

10 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD13N10A_L2_00001
Panjit
1: S/3.00
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD13N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD13N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/3.00

S/1.86

S/1.20

S/0.919

Envase tipo carrete

S/0.705

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD14P10A_L2_00001
Panjit
1: S/4.05
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD14P10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD14P10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/4.05

S/2.53

S/1.65

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.996

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

100 V

14 A

- 20 V, 20 V

3 V

40.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL_L2_00001
Panjit
3,000: S/1.34
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N10AL_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N10ALL20000

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.34

S/1.24

S/1.16

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD6N10A_L2_00001
Panjit
1: S/2.80
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD6N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD6N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/2.80

S/2.76

Envase tipo carrete

S/0.751

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

PSMN015N10NS2_R2_00201
Panjit
2,000: S/15.06
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMN015N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMN015N10NS2R22

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/15.06

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

N-Channel

100 V

395 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

Reel

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

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300 mA
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109 A