Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low R_DS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

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Resultados: 30

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Panjit
1: S/6.58
5,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4476AP-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4476APAUR2000

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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5,882En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.16

S/2.78

S/2.18

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Envase tipo carrete

S/1.69

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

31 nC

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+ 150 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3470_R1_00001
Panjit
1: S/3.74
139En existencias
3,000Se espera el 3/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
PJA3470_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3470_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

139En existencias

3,000Se espera el 3/06/2027

Cinta cortada

S/3.74

S/2.58

S/1.63

S/1.01

S/0.747

Envase tipo carrete

S/0.502

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

1.3 A

320 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

PSMQC042N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/10.28
5,649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC042N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC042N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

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5,649En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.62

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.71

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DFN-5060-8

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100 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

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- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

PSMQC078N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/6.58
5,189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC078N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC078N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

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5,189En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.20

S/2.79

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.50

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DFN-5060-8

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100 V

63 A

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- 20 V, 20 V

2.3 V

30 nC

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+ 150 C

65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

PSMQC098N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/6.03
5,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC098N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC098N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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5,990En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.80

S/2.53

S/2.22

Envase tipo carrete

S/2.22

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100 V

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- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

PSMQC280N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/5.72
6,443En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC280N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC280N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

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6,443En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.51

S/2.31

S/1.82

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.17

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

21 A

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2.3 V

9 nC

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+ 175 C

29.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S_R1_00701
Panjit
1: S/3.81
2,644En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3474S_R1_00701

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3474SR100701

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2,644En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.39

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.926

Ver

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.3 A

118 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC074N10NS2_R2_00201
Panjit
1: S/9.46
1,610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC074N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC074N10NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.16

S/3.50

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.78

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

64 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S-AU_R1_007A1
Panjit
1: S/4.36
19En existencias
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PJA3474S-AU_R1_007A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3474SAUR17A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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19En existencias

12,000En pedido

Cinta cortada

S/4.36

S/2.73

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

2.5 A

118 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

4.4 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R1_00001
Panjit
1: S/1.21
3,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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3,064En existencias

Cinta cortada

S/1.21

S/0.728

S/0.455

S/0.335

Envase tipo carrete

S/0.292

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

PJC7476_R1_00001
Panjit
1: S/1.56
15,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3

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15,000En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/0.95

S/0.596

S/0.444

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD9N10A_L2_00001
Panjit
1: S/2.96
2,720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD9N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD9N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

Hoja de datos

2,720En existencias

Cinta cortada

S/2.96

S/1.85

S/1.19

S/0.903

Envase tipo carrete

S/0.693

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N10A_L2_00001
Panjit
1: S/4.48
1,721En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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1,721En existencias

Cinta cortada

S/4.48

S/2.79

S/1.83

S/1.41

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R1_00001
Panjit
1: S/0.779
25En existencias
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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25En existencias

12,000En pedido

Cinta cortada

S/0.779

S/0.471

S/0.292

S/0.214

Envase tipo carrete

S/0.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

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500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3471_R1_00001
Panjit
1: S/2.22
44,094En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PJA3471_R1_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3471_R1_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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44,094En pedido

Cinta cortada

S/2.22

S/1.34

S/0.705

S/0.525

S/0.471

Envase tipo carrete

S/0.393

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

100 V

900 mA

650 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

BSS123_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.136
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSS123_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-BSS123_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.136

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJA3476_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.222
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.222

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

PJC7476_R2_00001
Panjit
12,000: S/0.362
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJC7476_R2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJC7476_R2_00001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.362

S/0.288

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

: 12,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

100 V

300 mA

9 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

1.8 nC

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+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD10P10A_L2_00001
Panjit
1: S/4.16
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD10P10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD10P10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/4.16

S/2.57

S/1.69

S/1.32

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.895

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

100 V

10 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD13N10A_L2_00001
Panjit
1: S/3.23
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD13N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD13N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/3.23

S/1.99

S/1.29

S/0.981

Envase tipo carrete

S/0.755

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

PJD14P10A_L2_00001
Panjit
1: S/4.32
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD14P10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD14P10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/4.32

S/2.70

S/1.77

S/1.37

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

100 V

14 A

- 20 V, 20 V

3 V

40.7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N10AL_L2_00001
Panjit
1: S/5.57
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N10AL_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N10ALL20000

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/5.57

S/3.49

S/2.31

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.43

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

28.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

PJD6N10A_L2_00001
Panjit
1: S/5.06
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD6N10A_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD6N10AL200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/5.06

S/3.50

S/2.22

S/1.37

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

PSMN015N10NS2_R2_00201
Panjit
2,000: S/17.63
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMN015N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMN015N10NS2R22

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/17.63

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

N-Channel

100 V

395 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market

PSMN028N10NS2_R2_00201
Panjit
2,000: S/9.15
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMN028N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMN028N10NS2R22

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.15

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

N-Channel

100 V

240 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

65 nC

Enhancement

Reel

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

170 mA
300 mA
900 mA
1.3 A
2.3 A
2.5 A
2.6 A
3.3 A
7 A
10 A
13 A
14 A
21 A
25 A
35 A
42 A
60 A
63 A
64 A
109 A