Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs

Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs offer an ideal price performance for low-frequency switching applications. The CoolMOS S7 and S7T series features a low R_DS(on) value for an HV SJ MOSFET, with an increase in energy efficiency. Infineon CoolMOS S7 and S7T MOSFETs are optimized for static-switching and high-current applications. The MOSFETs come in a TOLL or a Q-DPAK package with top-side and bottom-side variants. The CoolMOS SJ S7 MOSFETs target applications where switching losses are irrelevant. The CoolMOS SJ S7T devices integrate a temperature sensor to improve junction temperature sensing accuracy. The devices are geared toward solid-state solutions, such as solid-state circuit breakers and solid-state relay (SSR) applications.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
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S/18.02

S/12.61

S/10.86

Envase tipo carrete

S/10.12

MouseReel Disponible

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

3.5 V

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPQC60R010S7XTMA1
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Cinta cortada

S/90.03

S/64.77

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Envase tipo carrete

S/55.51

Min.: 1
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HDSOP-22

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Enhancement

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IPQC60R017S7XTMA1
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699En existencias

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S/46.71

S/38.93

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Envase tipo carrete

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HDSOP-22

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30 A

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500 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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S/23.63

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor

IPDQ60T010S7XTMA1
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728En existencias
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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor

IPQC60T010S7XTMA1
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1: S/102.29
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S/81.90

S/70.84

S/67.07

Envase tipo carrete

S/62.67

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PG-HDSOP-22

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600 V

174 A

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4 V

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694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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S/38.15

S/31.80

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Envase tipo carrete

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S/62.82

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Ver

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CoolMOS

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IPDQ60T022S7XTMA1
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604En existencias

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S/57.84

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S/36.71

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPQC60T017S7XTMA1
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750En existencias

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S/70.10

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Envase tipo carrete

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HDSOP-22

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Enhancement

CoolMOS

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IPT60T065S7XTMA1
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S/28.61

S/18.72

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Envase tipo carrete

S/10.86

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CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPDQ60R040S7XTMA1
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625En existencias

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IPDQ60R040S7XTMA1

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726-PDQ60R040S7XTMA1

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S/26.59

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Envase tipo carrete

S/18.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 750

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N-Channel

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14 A

40 mOhms

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4.5 V

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272 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPT60T040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/36.94
135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60T040S7XTMA1

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S/36.94

S/26.00

S/21.02

S/18.68

S/16.54

Envase tipo carrete

S/16.54

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CoolMOS

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IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/36.43
985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

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985En existencias

Cinta cortada

S/36.43

S/24.91

S/18.41

S/17.20

Envase tipo carrete

S/17.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.24
979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

979En existencias

Cinta cortada

S/26.24

S/17.17

S/12.65

S/11.25

S/9.96

Envase tipo carrete

S/9.96

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

65 mOhms

- 12 V, 12 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R010S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/103.70
5En existencias
750Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R010S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R010S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

5En existencias

750Se espera el 13/08/2026

Cinta cortada

S/103.70

S/81.00

S/72.79

S/66.33

Envase tipo carrete

S/66.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

318 nC

- 55 C

+ 150 C

694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/55.20
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R022S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

67En existencias

Cinta cortada

S/55.20

S/42.04

S/35.03

S/31.22

Envase tipo carrete

S/29.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R022S7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/49.98
24En existencias
3,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R022S7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R022S7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

24En existencias

3,500En pedido

S/49.98

S/37.25

S/31.02

S/27.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/60.84
21En existencias
14,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R022S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

21En existencias

14,000En pedido

Cinta cortada

S/60.84

S/42.43

S/31.49

S/29.47

S/27.44

Envase tipo carrete

S/27.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/61.27
230Se espera el 12/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R017S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R017S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

230Se espera el 12/10/2026

Cinta cortada

S/61.27

S/46.67

S/38.89

S/34.64

Envase tipo carrete

S/32.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

196 nC

- 40 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/18.26
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R040S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

S/18.26

Min.: 750
Mult.: 750

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

83 nC

- 40 C

+ 150 C

272 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/30.56
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60T022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60T022S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

S/30.56

Min.: 750
Mult.: 750

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

371 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs

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