Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs

Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs offer an ideal price performance for low-frequency switching applications. The CoolMOS S7 and S7T series features a low R_DS(on) value for an HV SJ MOSFET, with an increase in energy efficiency. Infineon CoolMOS S7 and S7T MOSFETs are optimized for static-switching and high-current applications. The MOSFETs come in a TOLL or a Q-DPAK package with top-side and bottom-side variants. The CoolMOS SJ S7 MOSFETs target applications where switching losses are irrelevant. The CoolMOS SJ S7T devices integrate a temperature sensor to improve junction temperature sensing accuracy. The devices are geared toward solid-state solutions, such as solid-state circuit breakers and solid-state relay (SSR) applications.

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Resultados: 22

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.71
750En existencias

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IPDQ60R040S7XTMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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750En existencias

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S/23.71

S/17.20

S/15.03

S/14.48

Envase tipo carrete

S/14.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 750

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

272 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/11.91
1,095En existencias

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IPT60R065S7XTMA1

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726-IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

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1,095En existencias

Cinta cortada

S/11.91

S/11.21

S/9.85

S/9.81

S/9.42

Envase tipo carrete

S/7.55

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

65 mOhms

- 12 V, 12 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.77
1,497En existencias

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726-IPT60R040S7XTMA1

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Cinta cortada

S/28.77

S/19.46

S/14.71

S/14.67

S/13.27

Envase tipo carrete

S/11.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

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1 Channel

600 V

13 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor

IPDQ60T010S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/83.34
740En existencias
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Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor

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Cinta cortada

S/83.34

S/71.08

S/61.50

S/61.46

Envase tipo carrete

S/51.65

Min.: 1
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Carrete: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

174 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

318 nC

- 55 C

+ 150 C

694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor

IPQC60T010S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/80.34
373En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7T with embedded temperature sensor

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373En existencias

Cinta cortada

S/80.34

S/64.19

S/60.18

S/55.74

Ver

Envase tipo carrete

S/51.61

Min.: 1
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Carrete: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

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1 Channel

600 V

174 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

318 nC

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694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/53.25
611En existencias

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611En existencias

Cinta cortada

S/53.25

S/37.33

S/33.05

S/30.91

Envase tipo carrete

S/26.94

Min.: 1
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Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

196 nC

- 40 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60T017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/49.71
230En existencias

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IPDQ60T017S7XTMA1

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726-IPDQ60T017S7XTMA

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S/49.71

S/36.47

S/36.32

S/34.41

Envase tipo carrete

S/29.78

Presupuesto

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CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.86
604En existencias

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IPDQ60T022S7XTMA1

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S/42.86

S/34.68

S/31.65

S/28.22

Envase tipo carrete

S/23.86

Min.: 1
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SMD/SMT

HDSOP-22

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1 Channel

600 V

90 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

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+ 150 C

416 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R010S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/71.08
452En existencias

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IPQC60R010S7XTMA1

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S/71.08

S/56.79

S/56.56

S/51.85

Envase tipo carrete

S/48.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

318 nC

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+ 150 C

694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/49.28
699En existencias

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IPQC60R017S7XTMA1

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S/49.28

S/43.28

S/43.25

S/37.41

Ver

Envase tipo carrete

S/34.37

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

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1 Channel

600 V

30 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

196 nC

- 40 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPQC60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/33.40
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R040S7XTMA

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S/33.40

S/24.44

S/19.77

Envase tipo carrete

S/14.83

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

14 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

83 nC

- 40 C

+ 150 C

272 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPQC60T017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/47.25
750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60T017S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60T017S7XTMA

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750En existencias

Cinta cortada

S/47.25

S/37.64

S/36.47

S/34.22

Ver

Envase tipo carrete

S/30.09

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

113 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

196 nC

- 40 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/34.92
1,414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60T022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T022S7XTMA1

Infineon Technologies

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1,414En existencias

Cinta cortada

S/34.92

S/30.44

S/30.09

S/27.75

Envase tipo carrete

S/23.55

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60T065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/20.09
2,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60T065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T065S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,083En existencias

Cinta cortada

S/20.09

S/14.71

S/11.91

S/10.59

S/9.07

Envase tipo carrete

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R010S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/80.89
132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R010S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R010S7XTMA

Infineon Technologies

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Hoja de datos

132En existencias

Cinta cortada

S/80.89

S/68.98

S/59.63

S/54.50

Envase tipo carrete

S/48.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

318 nC

- 55 C

+ 150 C

694 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60T040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.19
138En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60T040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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138En existencias

Cinta cortada

S/29.19

S/20.59

S/17.17

S/15.30

S/13.62

Envase tipo carrete

S/13.62

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/40.40
2,064En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R022S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,064En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/40.40

S/28.06

S/23.98

Envase tipo carrete

S/20.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.82
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R022S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

67En existencias

Cinta cortada

S/39.82

S/28.92

S/25.38

S/24.37

Envase tipo carrete

S/23.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R022S7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.56
25En existencias
500Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R022S7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R022S7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

25En existencias

500Se espera el 16/02/2026

S/40.56

S/25.50

S/22.65

S/20.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R065S7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.86
406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R065S7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R065S7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

406En existencias

S/20.86

S/13.86

S/11.21

S/9.96

S/8.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.96
749Se espera el 12/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PDQ60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

749Se espera el 12/03/2026

Cinta cortada

S/18.96

S/15.18

S/12.26

S/10.90

Envase tipo carrete

S/9.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

195 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/28.61
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60T022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60T022S7XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

S/28.61

Min.: 750
Mult.: 750

Carrete: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

371 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

CoolMOS

Reel

600V CoolMOS™ SJ S7/S7T Power MOSFETs

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