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DMS2085LSD-13

Name: Diodes Incorporated DMS2085LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMS2085LSD-13
Price: 1.91 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMS2085LSD-13

Fabricante N.º:

DMS2085LSD-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Fet w/Int Schottky -20Vbr 20Vr

Hoja de datos:

DMS2085LSD-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/1.91	S/1.91
	S/1.18	S/11.80
	S/0.771	S/77.10
	S/0.568	S/284.00
	S/0.51	S/510.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/0.475	S/1,187.50
	S/0.343	S/1,715.00
	S/0.339	S/3,390.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	85 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	7.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Serie:	DMS208
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.3 ns
Peso de la unidad:	750 mg

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Hoja de datos

DMS2085LSD-13 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMS2085LSD MOSFET w/ Integrated Schottky Diode

Diodes Inc. DMS2085LSD P-Channel MOSFET with Integrated Schottky Diode has been designed to minimize the on-state resistance (R_DS(ON)) and yet maintain superior switching performance. The DMS2085LSD is ideal for high efficiency power management applications. Typical applications are DC-DC converters, power management functions and backlighting.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.