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UF3N170400B7S

Name: onsemi UF3N170400B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3N170400B7S
Price: 41.88 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

431-UF3N170400B7S

Fabricante N.º:

UF3N170400B7S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1700V/400MOSICJFETG3T

Hoja de datos:

UF3N170400B7S Hoja de datos

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S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/41.88	S/41.88
	S/28.96	S/289.60
	S/24.13	S/2,413.00
	S/24.09	S/12,045.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	S/19.70	S/15,760.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.7 kV
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	3 V, 20 V
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	2.2 uA
Id - Corriente de drenaje continua:	6.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	400 mOhms
Dp - Disipación de potencia :	68 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	UF3N
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Nombre comercial:	SiC JFET
Peso de la unidad:	13.633 g

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UF3N170400B7S Hoja de datos

Models

Spice (Cierre)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF3N 1700V-400mW SiC Normally On JFET

onsemi UF3N 1700V-400mW SiC Normally On JFET exhibits ultra-low on-resistance (R_DS(ON)) and gate charge (Q_G) that allows low conduction and switching loss. The low R_DS(ON) value of this JFET at V_GS = 0V is ideal for current protection circuits without the need for active control and for cascode operation. The UF3N offers a low gate charge and low intrinsic capacitance. This SiC FET from onsemi operates in a -55°C to +175°C temperature range and is available in a D²PAK-7L package that is RoHS compliant, halogen-free, and lead-free. Typical applications include overcurrent protection circuits, DC-AC inverters, switch-mode power supplies, power factor correction modules, motor drives, and induction heating.