Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Perú

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.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 24.95 959En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R065S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R065S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	959En existencias	Cinta cortada S/ 24.95 S/ 14.83 S/ 10.04 Envase tipo carrete S/ 10.04	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	65 mOhms	12 V	3.5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	167 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/ 49.71 851En existencias 2,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP60R022S7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R022S7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	851En existencias 2,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP60R022S7XKSA1 Existencias: 851 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,500 Se espera el 3/06/2027 1,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	S/ 49.71 S/ 28.06 S/ 26.16	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R022S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 57.10 1,526En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R022S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R022S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	1,526En existencias	Cinta cortada S/ 57.10 S/ 36.43 S/ 32.70 S/ 30.71 Envase tipo carrete S/ 28.69 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies 1: S/ 37.68 985En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R040S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R040S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	985En existencias	Cinta cortada S/ 37.68 S/ 20.75 S/ 19.23 S/ 18.18 Envase tipo carrete S/ 18.18 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	40 mOhms	20 V	4.5 V	83 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel