Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel MOSFETs that minimize on-state resistance and maintain superior switching performance with best-in-class soft body diode. These MOSFET offers lower Q_rr compared to other MOSFETs. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs lower switching noise/electromagnetic interference (EMI). These MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. The Shielded Gate PowerTrench MOSFETs come in a small PQFN8 package with 5mm x 6mm dimensions for compact designs. Typical applications include synchronous rectification (SR), AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB Power Delivery) SR, and load switches.

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Resultados: 8

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A

NTB7D3N15MC
onsemi
1: S/13.04
3,092En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTB7D3N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTB7D3N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A

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Hoja de datos

3,092En existencias

Cinta cortada

S/13.04

S/8.99

S/7.71

S/7.67

Envase tipo carrete

S/6.81

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

101 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 95.6A, 7.9mohm

NTMFS7D5N15MC
onsemi
1: S/19.93
2,858En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS7D5N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS7D5N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 150V, 95.6A, 7.9mohm

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Hoja de datos

2,858En existencias

Cinta cortada

S/19.93

S/13.78

S/9.85

S/9.46

S/9.19

Envase tipo carrete

S/7.71

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

95.6 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

166.7 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 110A, 7.6mohm

NTMFS7D8N10GTWG
onsemi
1: S/17.13
8,626En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS7D8N10GTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS7D8N10GTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 110A, 7.6mohm

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Hoja de datos

8,626En existencias

Cinta cortada

S/17.13

S/11.72

S/8.33

S/7.71

Envase tipo carrete

S/6.54

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

110 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

92 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A

NTB5D0N15MC
onsemi
1: S/23.51
1,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTB5D0N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTB5D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A

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Hoja de datos

1,518En existencias

Cinta cortada

S/23.51

S/16.23

S/12.03

S/11.91

Envase tipo carrete

S/11.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

150 V

139 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, 150V Single N channel 61A, 14m Ohm in Power56 package

NTMFS015N15MC
onsemi
1: S/10.67
3,210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS015N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS015N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, 150V Single N channel 61A, 14m Ohm in Power56 package

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3,210En existencias

Cinta cortada

S/10.67

S/7.94

S/7.08

S/6.77

S/6.73

Envase tipo carrete

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

61 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

108.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, 150V Single N channel 31A, 31m Ohm in Power56 package

NTMFS034N15MC
onsemi
1: S/6.03
5,249En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS034N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS034N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, 150V Single N channel 31A, 31m Ohm in Power56 package

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5,249En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/4.13

S/3.83

S/3.67

Envase tipo carrete

S/3.13

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

31 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 75.4 A

NTB011N15MC
onsemi
1: S/16.27
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTB011N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTB011N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 75.4 A

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428En existencias

Cinta cortada

S/16.27

S/11.37

S/9.73

S/9.54

Envase tipo carrete

S/9.34

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

75.4 A

10.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37 nC

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 113A, 4.2mohm

NTMFS4D2N10MDT1G
onsemi
1: S/11.68
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 113A, 4.2mohm

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

Cinta cortada

S/11.68

S/8.17

S/5.68

S/5.02

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

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