Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 8

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V N-FET D2PAK

NTB7D3N15MC
onsemi
1: S/13.43
2,933En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTB7D3N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTB7D3N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V N-FET D2PAK

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Hoja de datos

2,933En existencias

Cinta cortada

S/13.43

S/9.26

S/7.90

S/7.32

Envase tipo carrete

S/7.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

101 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V N-FET D2PAK

NTB011N15MC
onsemi
1: S/16.74
427En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTB011N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTB011N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V N-FET D2PAK

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Hoja de datos

427En existencias

Cinta cortada

S/16.74

S/11.68

S/10.04

S/9.34

Envase tipo carrete

S/9.34

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

75.4 A

10.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37 nC

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

NTMFS7D5N15MC
onsemi
1: S/22.93
2,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS7D5N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS7D5N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

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Hoja de datos

2,662En existencias

Cinta cortada

S/22.93

S/15.30

S/10.98

S/9.93

S/9.58

Envase tipo carrete

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

95.6 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

166.7 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V N-FET D2PAK

NTB5D0N15MC
onsemi
1: S/27.44
1,407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTB5D0N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTB5D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V N-FET D2PAK

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Hoja de datos

1,407En existencias

Cinta cortada

S/27.44

S/18.49

S/13.39

S/11.79

Envase tipo carrete

S/11.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

150 V

139 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 15MOHM PQFN56

NTMFS015N15MC
onsemi
1: S/18.14
2,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS015N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS015N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 15MOHM PQFN56

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Hoja de datos

2,901En existencias

Cinta cortada

S/18.14

S/11.64

S/8.64

S/7.43

Envase tipo carrete

S/6.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

61 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

108.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 34MOHM PQFN56

NTMFS034N15MC
onsemi
1: S/11.76
4,828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS034N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS034N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 34MOHM PQFN56

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Hoja de datos

4,828En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/7.63

S/5.25

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

31 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE

NTMFS7D8N10GTWG
onsemi
1: S/20.32
3,827En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS7D8N10GTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS7D8N10GTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V MVSOA IN POWER CLIP 5X6 PACKAGE

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Hoja de datos

3,827En existencias

Cinta cortada

S/20.32

S/13.23

S/10.35

S/8.68

S/8.06

Envase tipo carrete

S/7.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

110 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

92 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

NTMFS4D2N10MDT1G
onsemi
1: S/14.13
Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

Cinta cortada

S/14.13

S/9.07

S/7.16

S/5.61

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

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