Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x R_DS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Q_rr), and low on‑resistance R_DS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

ISC300N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.17
2,604En existencias
5,000Se espera el 27/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC300N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC300N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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2,604En existencias

5,000Se espera el 27/07/2026

Cinta cortada

S/14.17

S/9.23

S/6.46

S/5.45

Ver

Envase tipo carrete

S/4.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPTC068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.16
7,034En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPTC068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC068N20NM6ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

7,034En existencias

Cinta cortada

S/33.16

S/23.36

S/20.59

Envase tipo carrete

S/20.55

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

6.8 mOhms

20 V

4.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB095N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.27
2,099En existencias
4,000Se espera el 15/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB095N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB095N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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2,099En existencias

4,000Se espera el 15/07/2026

Cinta cortada

S/26.27

S/17.20

S/14.60

Envase tipo carrete

S/12.61

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

PG-TO263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP095N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.25
2,377En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP095N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP095N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

2,377En existencias

S/24.25

S/14.09

S/11.64

S/10.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC130N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.96
6,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC130N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC130N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

6,046En existencias

Cinta cortada

S/28.96

S/19.38

S/15.57

S/13.86

S/12.26

Envase tipo carrete

S/12.26

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8-3

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

242 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP130N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.10
416En existencias
500Se espera el 15/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP130N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP130N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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416En existencias

500Se espera el 15/07/2026

S/21.10

S/13.82

S/10.32

S/8.60

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12 mOhms

20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP175N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.95
332En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP175N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP175N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

332En existencias

S/14.95

S/9.26

S/6.58

S/5.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB068N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/35.85
2,801En existencias
2,000Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB068N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB068N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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2,801En existencias

2,000Se espera el 15/07/2026

Cinta cortada

S/35.85

S/24.48

S/20.20

S/17.98

Envase tipo carrete

S/16.85

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3

N-Channel

1 Channel

200 V

134 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB339N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.23
3,505En existencias
5,000Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB339N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB339N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

3,505En existencias

5,000Se espera el 30/07/2026

Cinta cortada

S/19.23

S/12.61

S/9.38

S/7.86

Envase tipo carrete

S/7.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF067N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/36.01
1,408En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF067N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF067N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

1,408En existencias

Cinta cortada

S/36.01

S/24.60

S/20.28

S/18.06

Envase tipo carrete

S/16.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

200 V

138 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP069N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.89
1,159En existencias
1,500Se espera el 20/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP069N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP069N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

1,159En existencias

1,500Se espera el 20/07/2026

S/35.89

S/25.26

S/20.44

S/18.18

S/16.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

136 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPP339N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.14
2,299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP339N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP339N20NM6AKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

2,299En existencias

S/12.14

S/7.24

S/5.80

S/4.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

39 A

33.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

15.9 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.94
1,785En existencias
1,980En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

1,785En existencias

1,980En pedido

Cinta cortada

S/33.94

S/23.90

S/19.31

S/17.17

S/15.22

Envase tipo carrete

S/15.22

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISZ520N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.63
6,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISZ520N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ520N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

6,848En existencias

Cinta cortada

S/10.63

S/6.97

S/4.87

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

26 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

9.9 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.35
346En existencias
1,000Se espera el 6/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPF129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

346En existencias

1,000Se espera el 6/08/2026

Cinta cortada

S/26.35

S/17.63

S/14.17

S/12.61

Envase tipo carrete

S/11.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPB175N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.24
5En existencias
2,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB175N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB175N20NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

5En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/17.24

S/11.29

S/8.45

S/7.08

Envase tipo carrete

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

200 V

61 A

15.5 mOhms

20 V

4.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

203 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC151N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.89
9,900Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC151N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC151N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

9,900Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/25.89

S/16.82

S/12.42

S/11.37

Ver

Envase tipo carrete

S/9.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

74 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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