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DMTH64M2LPDW-13

Name: Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH64M2LPDW-13
Price: 9.58 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

621-DMTH64M2LPDW-13

Fabricante N.º:

DMTH64M2LPDW-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

DMTH64M2LPDW-13 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/9.58	S/9.58
	S/6.15	S/61.50
	S/4.20	S/420.00
	S/3.48	S/1,740.00
	S/3.06	S/3,060.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/3.01	S/7,525.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerDI5060-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	90 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	48 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	74 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	38 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	22 ns
Serie:	DMTH64M2LPDW
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	55 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.2 ns

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TARIC:: 8541290000

DMTH64M2LPDW Dual N-Channel E-Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications. DMTH64M2LPDW integrates two MOSFETs in a single PowerDI^® 5mm x 6mm package, offering compact size and excellent thermal performance. Each channel features a low on-resistance [R_DS(on)] and high current capability, ideal for synchronous rectification in DC-DC converters, power management in computing systems, and battery protection circuits. With a maximum drain-source voltage of 60V and continuous drain current up to 90A, this Diodes Inc device ensures fast switching and low conduction losses. The rugged design, combined with low gate charge and high avalanche energy rating, provides reliable operation in demanding environments such as server motherboards, graphics cards, and portable electronics.