Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 14

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.0MO

NTBGS001N06C
onsemi
1: S/31.68
800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBGS001N06C

N.º de artículo de Mouser
863-NTBGS001N06C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.0MO

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Cinta cortada

S/31.68

Envase tipo carrete

S/31.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

60 V

342 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

139 nC

- 55 C

+ 175 C

3.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL

NTMFSC4D2N10MC
onsemi
1: S/19.73
2,377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFSC4D2N10MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFSC4D2N10MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL

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Cinta cortada

S/19.73

S/9.58

S/8.45

Envase tipo carrete

S/8.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

100 V

116 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

122 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET ENGR DEV-NOT REL

FDMS8D8N15C
onsemi
1: S/19.97
3,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMS8D8N15C

N.º de artículo de Mouser
863-FDMS8D8N15C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET ENGR DEV-NOT REL

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Cinta cortada

S/19.97

S/10.20

S/7.71

Envase tipo carrete

S/7.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

85 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL

NTBGS4D1N15MC
onsemi
1: S/22.19
1,296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBGS4D1N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTBGS4D1N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL

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Cinta cortada

S/22.19

S/15.92

S/13.90

S/12.96

Envase tipo carrete

S/12.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

150 V

185 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

88.9 nC

- 55 C

+ 175 C

316 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR INDUSTRIAL

NTBLS4D0N15MC
onsemi
1: S/29.74
5,069En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS4D0N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS4D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR INDUSTRIAL

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Cinta cortada

S/29.74

S/20.12

S/14.67

S/14.05

S/13.55

Envase tipo carrete

S/13.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

187 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

90.4 nC

- 55 C

+ 175 C

316 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V N-FET D2PAK

NTB5D0N15MC
onsemi
1: S/27.44
1,407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTB5D0N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTB5D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V N-FET D2PAK

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Cinta cortada

S/27.44

S/18.49

S/13.39

S/11.79

Envase tipo carrete

S/11.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

150 V

139 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

NTMFSC0D9N04CL
onsemi
1: S/11.05
7,071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFSC0D9N04CL

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFSC0D9N04CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL

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Cinta cortada

S/11.05

S/7.16

S/4.90

S/3.97

S/3.70

Envase tipo carrete

S/3.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

313 A

850 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

61 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 80V IN CEBU PQFN88

NTMTSC1D5N08MC
onsemi
1: S/35.42
1,809En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTSC1D5N08MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTSC1D5N08MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 80V IN CEBU PQFN88

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Cinta cortada

S/35.42

S/24.17

S/17.83

S/17.71

S/16.54

Envase tipo carrete

S/16.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

287 A

1.56 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

101 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm

FDB1D7N10CL7
onsemi
1: S/37.64
5En existencias
1,600Se espera el 21/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDB1D7N10CL7

N.º de artículo de Mouser
863-FDB1D7N10CL7

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm

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5En existencias

1,600Se espera el 21/07/2026

Cinta cortada

S/37.64

S/30.91

S/20.63

S/17.48

Envase tipo carrete

S/17.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

268 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

163 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

NTMFSC004N08MC
onsemi
1: S/16.54
89En existencias
3,000Se espera el 18/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFSC004N08MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFSC004N08MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

89En existencias

3,000Se espera el 18/12/2026

Cinta cortada

S/16.54

S/10.24

S/7.82

S/6.58

S/6.42

Envase tipo carrete

S/5.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

136 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

43.4 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL IN 5X6 DUALCOOL

NTMFSC1D6N06CL
onsemi
1: S/11.02
162En existencias
6,000Se espera el 27/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFSC1D6N06CL

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFSC1D6N06CL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL IN 5X6 DUALCOOL

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Hoja de datos

162En existencias

6,000Se espera el 27/05/2027

Cinta cortada

S/11.02

S/7.08

S/4.87

S/3.97

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

235 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

Dual Cool

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL COOL FOR INDUSTRIAL

NTMTSC4D3N15MC
onsemi
1: S/31.41
41En existencias
3,000Se espera el 13/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMTSC4D3N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTSC4D3N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL COOL FOR INDUSTRIAL

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Hoja de datos

41En existencias

3,000Se espera el 13/11/2026

Cinta cortada

S/31.41

S/21.14

S/17.98

S/14.56

Envase tipo carrete

S/13.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Dual Cool 88-8

N-Channel

1 Channel

150 V

174 A

4.45 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

293 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL

NTMTS4D3N15MC
onsemi
1: S/34.99
6,000Se espera el 21/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS4D3N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS4D3N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL

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Hoja de datos

6,000Se espera el 21/07/2026

Cinta cortada

S/34.99

S/23.86

S/17.59

S/17.44

Envase tipo carrete

S/16.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

1 Channel

150 V

174 A

4.45 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

293 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V N-FET 118A

FDMS4D0N12C
onsemi
1: S/23.08
5,632Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDMS4D0N12C

N.º de artículo de Mouser
863-FDMS4D0N12C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 120V N-FET 118A

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Hoja de datos

5,632Se espera el 17/07/2026

Cinta cortada

S/23.08

S/15.14

S/11.05

S/10.04

S/9.77

Envase tipo carrete

S/9.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

120 V

114 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

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