RV5x040 Small Signal MOSFETs

ROHM Semiconductor RV5x040 Small Signal MOSFETs offer low on-resistance in a small DFN1616 package. The RV5x040 features a ±4.0A continuous drain current and a 1.5W power dissipation. The ROHM RV5x040 Small Signal MOSFETs are designed for switching and load switch applications.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1616 P-CH 20V 4A 5,976En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-1616-8 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 85 mOhms - 8 V, 0 V 1 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN1616 P-CH 12V 4A 5,960En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-1616-8 P-Channel 1 Channel 12 V 4 A 62 mOhms - 8 V, 0 V 1 V 16 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel