QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz 46En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz, Flanged
100En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W