Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

QPD1029L

Name: Qorvo QPD1029L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1029L
Price: 6519.7 PEN
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

772-QPD1029L

Fabricante N.º:

QPD1029L

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr

Hoja de datos:

QPD1029L Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Qorvo QPD1029L

Disponibilidad

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 18 Múltiples: 18

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/6,519.70	S/117,354.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Marca:	Qorvo
Frecuencia de trabajo máxima:	1.4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	1.2 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	1.5 kW
Empaquetado:	Waffle
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1029L
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

QPD1029L Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

QPD1029L GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1029L GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 1500W (P_3dB) discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistor (HEMT). This RF IMFET operates between a 1.2GHz to 1.4GHz frequency range. The QPD1029L transistor provides ease of external board match and saves board space. This Qorvo transistor is a RoHS-compliant device. The QPD1029L IMFET transistor device is used in an industry-standard air cavity package and is ideally suited for radar.