Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V TrenchFET Gen IV & 100V ThunderFET MOSFETs

Vishay / Siliconix 40V TrenchFET Gen IV and 100V ThunderFET MOSFETs offer low ON-resistance and low total gate charge. This low ON-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Available packages include TO-220, TO-252, as well as a space-saving, small-outline PowerPAK® option. Vishay / Siliconix 40V TrenchFET Gen IV and 100V ThunderFET MOSFETs are 100% R_g and UIS tested, halogen free, and RoHS compliant.

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Resultados: 13

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJ438DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.90
34,544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJ438DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJ438DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

34,544En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/5.37

S/4.83

S/3.87

S/3.73

Envase tipo carrete

S/3.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

1.35 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

182 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJA54DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.82
5,339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJA54DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJA54DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

5,339En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/4.98

S/3.36

S/2.66

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.35 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

104 nC

- 55 C

+ 150 C

36.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

SIJA52DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
5,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJA52DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJA52DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L

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Hoja de datos

5,860En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/5.53

S/4.20

S/3.14

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

1.7 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

SUD70090E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/7.43
17,115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUD70090E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUD70090E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

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Hoja de datos

17,115En existencias

Cinta cortada

S/7.43

S/4.63

S/3.71

S/3.22

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

8.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

ThunderFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA52DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.59
3,869En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA52DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA52DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

3,869En existencias

Cinta cortada

S/10.59

S/6.81

S/4.63

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

1.7 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

SUP70060E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.72
1,810En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP70060E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70060E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

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Hoja de datos

1,810En existencias

S/11.72

S/5.80

S/5.22

S/4.32

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

131 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR638DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/11.68
7,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR638DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR638DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

7,135En existencias

Cinta cortada

S/11.68

S/7.79

S/5.53

S/4.63

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

880 uOhms

- 16 V, 20 V

2.3 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA58DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.58
4,363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA58DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA58DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

4,363En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/4.67

S/4.20

S/3.35

S/3.25

Envase tipo carrete

S/2.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

40 V

109 A

2.65 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

SISS10DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/1.99
6,704En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS10DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISS10DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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Hoja de datos

6,704En existencias

Cinta cortada

S/1.99

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

40 V

60 A

2.65 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SUM70060E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/11.72
5,612En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70060E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70060E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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Hoja de datos

5,612En existencias

Cinta cortada

S/11.72

S/5.80

S/5.22

S/3.79

Envase tipo carrete

S/3.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

131 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

ThunderFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SUM70090E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.93
1,276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70090E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70090E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

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Hoja de datos

1,276En existencias

Cinta cortada

S/9.93

S/4.87

S/4.36

S/3.30

Envase tipo carrete

S/2.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600

: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

8.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

ThunderFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

SUP70090E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.85
497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP70090E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70090E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220

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Hoja de datos

497En existencias

S/16.85

S/8.60

S/7.82

S/6.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK

SUA70090E-E3
Vishay / Siliconix
1,000: S/3.14
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUA70090E-E3

N.º de artículo de Mouser
78-SUA70090E-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

S/3.14

S/2.99

S/2.95

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42.8 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

35.7 W

Enhancement

ThunderFET

Tube

40V TrenchFET Gen IV & 100V ThunderFET MOSFETs

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