Resultados: 23
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR 4,483En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU 5,747En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 100V 1.5A N-CH MOSFET 14,670En existencias
20,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU 3,537En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR 2,812En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET 5,540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Bulk

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 1.5 Amp 503En existencias
52,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.5 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 N-CH 60V 2.7A
67,341Se espera el 23/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 30 Amp
5,782Se espera el 25/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 28 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 66 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 8A
7,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 8 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 25 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 2.7 Amp
8,493Se espera el 23/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 2.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 2 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
16,860Se espera el 19/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
9,132Se espera el 23/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR 1,069En existencias
1,750Se espera el 28/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 4.3 Amp No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
No
Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
No
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
No
Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLU No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
No
Si Through Hole TO-251-3 Tube