MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

Resultados: 23
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
259En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
530En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
850En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
1,152En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
75En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
Hoja de datos
1,140Se espera el 2/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Reel