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NTHL022N120M3S

Name: onsemi NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL022N120M3S
Price: 67.57 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTHL022N120M3S

Fabricante N.º:

NTHL022N120M3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

Hoja de datos:

NTHL022N120M3S Hoja de datos

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	S/67.57	S/67.57
	S/49.20	S/492.00
	S/47.99	S/4,799.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	68 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	30 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.4 V
Qg - Carga de puerta:	139 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	352 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Tiempo de caída:	14 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	34 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	50 ns
Serie:	NTHL022N120M3S
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	44 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns

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Hoja de datos

NTHL022N120M3S Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTHL022N120M3S EliteSiC Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTHL022N120M3S EliteSiC Silicon Carbide MOSFET is a 1200V, M3S, planar device optimized for fast switching applications. Planar technology reliably works with a negative gate voltage drive and turn off spikes on the gate. NTHL022N120M3S offers optimum performance when driven with an 18V gate drive (also works with a 15V gate drive). Available in a TO-247-3L package, the NTHL022N120M3S is ideal for industrial, UPS/ESS, solar, and EV charger applications.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.