Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
DF3D36FU,LF
Toshiba
1:
S/2.14
5,816 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-DF3D36FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type
5,816 En existencias
1
S/2.14
10
S/1.32
100
S/0.841
500
S/0.65
3,000
S/0.475
6,000
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1,000
S/0.564
6,000
S/0.401
9,000
S/0.378
24,000
S/0.366
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
SSM3J377R,LF
Toshiba
1:
S/1.52
8,328 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
8,328 En existencias
1
S/1.52
10
S/0.93
100
S/0.588
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S/0.436
3,000
S/0.323
6,000
Ver
1,000
S/0.385
6,000
S/0.292
9,000
S/0.245
24,000
S/0.234
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
SSM3J378R,LF
Toshiba
1:
S/1.79
2,079 En existencias
3,000 Se espera el 4/09/2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
2,079 En existencias
3,000 Se espera el 4/09/2026
1
S/1.79
10
S/1.10
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S/0.693
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S/0.518
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Ver
1,000
S/0.463
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S/0.35
9,000
S/0.296
24,000
S/0.28
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
SSM3K318R,LF
Toshiba
1:
S/2.96
12,738 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K318RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
12,738 En existencias
1
S/2.96
10
S/1.33
100
S/1.17
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S/0.88
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S/0.67
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1,000
S/0.79
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S/0.603
9,000
S/0.525
24,000
S/0.432
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
SSM3K341TU,LF
Toshiba
1:
S/3.23
1,858 En existencias
6,000 Se espera el 2/10/2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
1,858 En existencias
6,000 Se espera el 2/10/2026
1
S/3.23
10
S/1.47
100
S/1.29
500
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3,000
S/0.755
6,000
Ver
1,000
S/0.93
6,000
S/0.716
9,000
S/0.65
24,000
S/0.584
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
SSM3K361TU,LF
Toshiba
1:
S/3.19
1,289 En existencias
6,000 Se espera el 6/11/2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
1,289 En existencias
6,000 Se espera el 6/11/2026
1
S/3.19
10
S/1.46
100
S/1.28
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S/0.977
3,000
S/0.751
6,000
Ver
1,000
S/0.961
6,000
S/0.701
9,000
S/0.642
24,000
S/0.623
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
SSM3K376R,LF
Toshiba
1:
S/1.87
7,880 En existencias
246,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
7,880 En existencias
246,000 En pedido
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Existencias:
7,880 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
123,000 Se espera el 24/08/2026
123,000 Se espera el 28/08/2026
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
1
S/1.87
10
S/0.837
100
S/0.728
500
S/0.541
3,000
S/0.401
6,000
Ver
1,000
S/0.506
6,000
S/0.378
9,000
S/0.284
24,000
S/0.249
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
SSM3K62TU,LF
Toshiba
1:
S/2.37
1,681 En existencias
9,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
1,681 En existencias
9,000 En pedido
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Existencias:
1,681 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 18/08/2026
6,000 Se espera el 8/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas
1
S/2.37
10
S/1.06
100
S/0.934
500
S/0.705
3,000
S/0.533
9,000
Ver
9,000
S/0.436
24,000
S/0.409
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3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/7.82
256 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
256 En existencias
1
S/7.82
10
S/3.75
100
S/3.35
500
S/2.65
1,000
S/2.58
2,000
S/2.17
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2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/8.10
265 En existencias
2,000 Se espera el 13/11/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
265 En existencias
2,000 Se espera el 13/11/2026
1
S/8.10
10
S/5.18
100
S/3.49
500
S/2.77
2,000
S/2.34
4,000
Ver
1,000
S/2.54
4,000
S/2.28
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2,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/12.26
342 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
342 En existencias
6,000 En pedido
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Existencias:
342 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 14/09/2026
4,000 Se espera el 14/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
1
S/12.26
10
S/6.11
100
S/5.53
500
S/4.44
1,000
S/4.28
2,000
S/4.01
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
SSM3J351R,LF
Toshiba
1:
S/2.61
195,611 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
195,611 En pedido
Ver fechas
En pedido:
39,611 Pendiente
156,000 Se espera el 21/08/2026
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas
1
S/2.61
10
S/1.18
100
S/1.03
500
S/0.779
3,000
S/0.592
6,000
Ver
6,000
S/0.568
9,000
S/0.502
24,000
S/0.432
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
1SS307E,L3F
Toshiba
1:
S/0.701
202,844 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-1SS307EL3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
202,844 En pedido
Ver fechas
En pedido:
26,844 Se espera el 28/08/2026
80,000 Se espera el 21/12/2026
96,000 Se espera el 8/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
1
S/0.701
10
S/0.428
100
S/0.265
500
S/0.195
8,000
S/0.093
24,000
Ver
1,000
S/0.152
5,000
S/0.109
24,000
S/0.086
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
8,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
SSM3K347R,LF
Toshiba
1:
S/2.06
5,861 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K347RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
5,861 En pedido
Ver fechas
En pedido:
2,861 Se espera el 2/10/2026
3,000 Se espera el 23/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
1
S/2.06
10
S/1.27
100
S/0.806
500
S/0.607
3,000
S/0.455
6,000
Ver
1,000
S/0.541
6,000
S/0.413
9,000
S/0.354
24,000
S/0.327
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba
1:
S/7.51
2,000 Se espera el 16/11/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
2,000 Se espera el 16/11/2026
1
S/7.51
10
S/3.58
100
S/3.20
500
S/2.53
1,000
S/2.45
2,000
S/2.05
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
SSM3H137TU,LF
Toshiba
1:
S/2.92
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
No en existencias
1
S/2.92
10
S/1.80
100
S/1.16
500
S/0.88
3,000
S/0.673
6,000
Ver
1,000
S/0.79
6,000
S/0.615
9,000
S/0.541
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
TB9081FG
Toshiba
1,600:
S/34.37
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TB9081FG
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
No en existencias
Comprar
Min.: 1,600
Mult.: 1,600
Detalles
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
+3 imágenes
TB9101FNG,EL
Toshiba
2,000:
S/10.39
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TB9101FNG,EL
Toshiba
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
No en existencias
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Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/7.51
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
1
S/7.51
10
S/4.79
100
S/3.20
500
S/2.53
2,000
S/2.13
4,000
Ver
1,000
S/2.32
4,000
S/2.02
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
Toshiba 1SS403TPH3F
1SS403TPH3F
Toshiba
6,000:
S/0.413
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
757-1SS403(TPH3,F)
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
No en existencias
6,000
S/0.413
12,000
S/0.366
24,000
S/0.272
Comprar
Min.: 6,000
Mult.: 6,000
Carrete :
3,000
Detalles