Soluciones automotrices

Las soluciones automotrices de Toshiba ofrecen varios dispositivos semiconductores automotrices que están diseñados para mejorar la seguridad de la conducción. Esto incluye sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia desde una perspectiva futura para ofrecer soluciones integrales de conducción asistida. Estas soluciones incluyen la autoconducción que emula los ojos humanos y otros sentidos humanos complejos.

Todos los resultados (45)

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type 5,816En existencias
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: 3,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 8,328En existencias
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: 3,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 2,079En existencias
3,000Se espera el 4/09/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 12,738En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V 1,858En existencias
6,000Se espera el 2/10/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 1,289En existencias
6,000Se espera el 6/11/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 7,880En existencias
246,000En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 1,681En existencias
9,000En pedido
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: 3,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 256En existencias
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: 2,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 265En existencias
2,000Se espera el 13/11/2026
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: 2,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 342En existencias
6,000En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
195,611En pedido
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: 3,000

Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
202,844En pedido
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: 8,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
5,861En pedido
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: 3,000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
2,000Se espera el 16/11/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V No en existencias
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10 No en existencias
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10 No en existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Toshiba 1SS403TPH3F
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q No en existencias
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