Soluciones automotrices

Las soluciones automotrices de Toshiba ofrecen varios dispositivos semiconductores automotrices que están diseñados para mejorar la seguridad de la conducción. Esto incluye sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia desde una perspectiva futura para ofrecer soluciones integrales de conducción asistida. Estas soluciones incluyen la autoconducción que emula los ojos humanos y otros sentidos humanos complejos.

Todos los resultados (45)

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 642,145En existencias
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Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type 129,753En existencias
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Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD protection diode Bi-directional type 20,961En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 5,547En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 4,315En existencias
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Motor PreDrvr Automotive; AEC-Q10 447En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK 3,603En existencias
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor H-Bridge Drvr Automotive; AEC-Q100 1,735En existencias
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Toshiba Transceptor de RF 2.0 to 5.5V -117dBm Automotive; AEC-Q 1,958En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104 2,537En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,682En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK 2,070En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 85,810En existencias
126,150En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 44,251En existencias
42,000Se espera el 29/05/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 52,105En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 18,899En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 37,412En existencias
78,000En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 49,993En existencias
30,000Se espera el 29/05/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK 2,193En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 4,177En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 5,494En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 5,127En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 18,115En existencias
72,000En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 7,244En existencias
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Toshiba Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 1Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10 255En existencias
3,000Se espera el 25/05/2026
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