Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

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Resultados: 109

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.29
1,000Se espera el 25/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

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Hoja de datos

1,000Se espera el 25/08/2026

Cinta cortada

S/21.29

S/11.09

S/10.12

S/8.99

Ver

Envase tipo carrete

S/7.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

170 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC030N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.03
110En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

110En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/15.03

S/8.91

S/7.05

S/6.77

Ver

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

179 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

ISC031N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.80
4,000Se espera el 10/12/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC031N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC031N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,000Se espera el 10/12/2026

Cinta cortada

S/21.80

S/14.60

S/11.41

S/10.51

Ver

Envase tipo carrete

S/8.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ106N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
24,517En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISZ106N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ106N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

24,517En pedido

Cinta cortada

S/8.37

S/5.41

S/3.62

S/2.87

Ver

Envase tipo carrete

S/2.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

62 A

10.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISZ330N12LM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.70
7,495En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISZ330N12LM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ330N12LM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Hoja de datos

7,495En pedido

Cinta cortada

S/6.70

S/4.13

S/2.71

S/2.13

Ver

Envase tipo carrete

S/1.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

24 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

3.6 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC010N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.87
10,000Se espera el 29/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC010N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SC010N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

10,000Se espera el 29/07/2027

Cinta cortada

S/8.87

S/4.32

S/4.09

S/3.30

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

285 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6N031HATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
5,000Se espera el 28/01/2027
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6N031HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6N031H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

5,000Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/10.35

S/6.27

S/5.06

S/4.44

Ver

Envase tipo carrete

S/3.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

113 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

IPB057N15NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.46
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPB057N15NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB057N15NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package

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Hoja de datos

1,000En pedido

Cinta cortada

S/12.46

S/6.19

S/5.61

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.16

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

150 V

128 A

5.4 mOhms

20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.74
1,000Se espera el 25/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

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Hoja de datos

1,000Se espera el 25/08/2026

Cinta cortada

S/13.74

S/8.95

S/6.27

S/5.25

Ver

Envase tipo carrete

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

171 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

80 V

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3
D2PAK-7
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-5
HSOF-8
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8
PG-TO220-3
PG-TO263-3
PG-TO263-7
PG-TSDSON-8
PG-TTFN-9
PG-WHTFN-9
SON-8

24 A
26 A
31 A
39 A
40 A
44 A
50 A
55 A
59 A
61 A
62 A
63 A
74 A
75 A
80 A
86 A
87 A
88 A
90 A
97 A

360 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.35 mOhms
1.7 mOhms
2.05 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.24 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms

3.6 nC
7.4 nC
9 nC
9.4 nC
9.5 nC
9.9 nC
10 nC
10.4 nC
12.4 nC
13 nC
14 nC
14.4 nC
14.8 nC
15.9 nC
17 nC
19 nC
23 nC
25 nC
26 nC
28 nC

250 mW
2.5 W
38 W
41 W
43 W
48 W
50 W
52 W
75 W
79 W
83 W
88 W
94 W
95 W
100 W
107 W
125 W
136 W
150 W
158 W