Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor R_DS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

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Resultados: 109

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ018N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
179En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ018N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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179En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/7.90

S/5.02

S/3.93

S/3.17

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Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC120N04S6N006ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.00
106En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N04S6N006ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6N006

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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106En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/16.00

S/9.15

S/7.32

S/6.07

Ver

Envase tipo carrete

S/5.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

600 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

116 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S6N009TATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.47
34En existencias
10,000Se espera el 22/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S6N009TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S6N009TAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

34En existencias

10,000Se espera el 22/07/2027

Cinta cortada

S/13.47

S/8.76

S/6.07

S/4.98

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC030N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.87
7En existencias
15,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC030N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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7En existencias

15,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

S/27.87

S/15.38

S/11.99

S/10.67

Ver

Envase tipo carrete

S/9.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

120 V

194 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.65
123En existencias
20,000Se espera el 1/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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123En existencias

20,000Se espera el 1/07/2027

Cinta cortada

S/9.65

S/5.49

S/4.20

S/3.32

Ver

Envase tipo carrete

S/2.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.47
330En existencias
40,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC230N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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330En existencias

40,000En pedido

Cinta cortada

S/7.47

S/4.32

S/3.16

S/2.57

Ver

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISC007N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.25
163En existencias
20,000Se espera el 15/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SC007N04NM6ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

163En existencias

20,000Se espera el 15/04/2027

Cinta cortada

S/11.25

S/7.24

S/4.98

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

381 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IST006N04NM6AUMA1
Infineon Technologies
1: S/18.57
19En existencias
20,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IST006N04NM6AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST006N04NM6AUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

19En existencias

20,000En pedido

Cinta cortada

S/18.57

S/12.30

S/8.72

S/7.51

Envase tipo carrete

S/6.23

S/6.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

sTOLL-6

N-Channel

1 Channel

40 V

475 A

600 uOhms

- 10 V, 10 V

2.1 V

127 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUC60N04S6L045HATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.45
17En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N04S6L045HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6L045H

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

17En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.41

S/3.60

S/2.90

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Envase tipo carrete

S/2.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.5 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

IPP057N15NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.71
12,500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP057N15NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP057N15NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

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Hoja de datos

12,500En pedido

S/14.71

S/7.43

S/6.73

S/5.41

S/5.10

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

128 A

5.4 mOhms

20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC007N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.96
39,863En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC007N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC007N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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39,863En pedido

Cinta cortada

S/12.96

S/7.79

S/6.03

S/5.18

Ver

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

381 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.83
168,519En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ063N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ063N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

168,519En pedido

Cinta cortada

S/4.83

S/2.78

S/2.24

S/1.92

Ver

Envase tipo carrete

S/1.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQDH45N04LM6CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.54
9,600Se espera el 24/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
IQDH45N04LM6CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH45N04LM6CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

9,600Se espera el 24/06/2027

Cinta cortada

S/22.54

S/15.10

S/11.83

S/11.05

S/10.74

Envase tipo carrete

S/10.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TTFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

637 A

450 uOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

ISC007N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.55
5,000Se espera el 22/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC007N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC007N06NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,000Se espera el 22/10/2026

Cinta cortada

S/26.55

S/17.79

S/13.66

S/12.42

S/12.07

Envase tipo carrete

S/11.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC022N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.51
93,376En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC022N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

93,376En pedido

Cinta cortada

S/26.51

S/16.74

S/13.08

S/11.60

S/11.02

Envase tipo carrete

S/9.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

230 A

2.24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

254 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.84
19,900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC027N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

19,900En pedido

Cinta cortada

S/18.84

S/10.86

S/9.30

S/8.29

Ver

Envase tipo carrete

S/6.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

192 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.25
22,493En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISC060N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

22,493En pedido

Cinta cortada

S/11.25

S/6.34

S/4.94

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

97 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

ISC151N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.38
9,880Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
ISC151N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC151N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Obtenga más información

Hoja de datos

9,880Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/22.38

S/13.47

S/10.82

S/9.07

Ver

Envase tipo carrete

S/7.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

74 A

15.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISG0613N04NM6HSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.23
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISG0613N04NM6HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0613N04NM6HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

9,000En pedido

Cinta cortada

S/22.23

S/14.64

S/10.74

S/9.23

S/8.87

Envase tipo carrete

S/8.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

40 V

299 A

880 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.29
100,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISZ080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

100,000En pedido

Cinta cortada

S/8.29

S/4.83

S/3.42

S/2.80

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.04 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ024N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.59
22,236En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ024N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ024N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Obtenga más información

Hoja de datos

22,236En pedido

Cinta cortada

S/7.59

S/4.28

S/3.37

S/2.85

Ver

Envase tipo carrete

S/2.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S6N007TATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.87
5,999Se espera el 3/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S6N007TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S6N007TAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

5,999Se espera el 3/06/2027

Cinta cortada

S/14.87

S/9.30

S/6.73

S/5.57

Envase tipo carrete

S/4.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

40 V

390 A

750 uOhms

20 V

3 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

206 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

IPP095N20NM6AKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.97
4,499En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPP095N20NM6AKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP095N20NM6AKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

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Hoja de datos

4,499En pedido

S/22.97

S/12.07

S/11.02

S/9.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

116 A

8.7 mOhms

20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IQFH36N04NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.42
2,660Se espera el 4/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IQFH36N04NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH36N04NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

2,660Se espera el 4/02/2027

Cinta cortada

S/19.42

S/14.01

S/11.52

S/10.47

S/10.12

Envase tipo carrete

S/9.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

40 V

656 A

360 uOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

ISC018N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.03
3,976Se espera el 29/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC018N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC018N08NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,976Se espera el 29/10/2026

Cinta cortada

S/28.03

S/17.09

S/14.48

S/13.20

S/12.81

Envase tipo carrete

S/10.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

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SON-8

24 A
26 A
31 A
39 A
40 A
44 A
50 A
55 A
59 A
61 A
62 A
63 A
74 A
75 A
80 A
86 A
87 A
88 A
90 A
97 A

360 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
550 uOhms
600 uOhms
700 uOhms
750 uOhms
880 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.35 mOhms
1.7 mOhms
2.05 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.24 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms

3.6 nC
7.4 nC
9 nC
9.4 nC
9.5 nC
9.9 nC
10 nC
10.4 nC
12.4 nC
13 nC
14 nC
14.4 nC
14.8 nC
15.9 nC
17 nC
19 nC
23 nC
25 nC
26 nC
28 nC

250 mW
2.5 W
38 W
41 W
43 W
48 W
50 W
52 W
75 W
79 W
83 W
88 W
94 W
95 W
100 W
107 W
125 W
136 W
150 W
158 W