Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive U-MOSVI Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs are -40V P-channel power MOSFETs for automotive applications. These devices feature a gate drive voltage of -4.5V compared with -6V for the conventional products in the DPAK+ package. This feature allows systems to be used even when the battery voltage drops. The Toshiba Automotive U-MOSVI Power MOSFETs feature low on-resistance.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/17.28
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TJ200F04M3L,LXHQ

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757-TJ200F04M3L,LXHQ

Toshiba

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S/17.28

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S/8.02

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S/6.34

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

TO-220SM-3

P-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

460 nC

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/5.61
44,965En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ8S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3L,LXHQ

Toshiba

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S/5.61

S/3.52

S/2.33

S/1.82

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S/1.54

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MouseReel Disponible

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

8 A

104 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/6.73
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TJ40S04M3L,LXHQ

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757-TJ40S04M3L,LXHQ

Toshiba

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S/6.73

S/4.28

S/2.84

S/2.23

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S/1.87

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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.1 mOhms

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83 nC

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ30S06M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ30S06M3L,LXHQ

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757-TJ30S06M3L,LXHQ

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S/2.04

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DPAK-3 (TO-252-3)

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60 V

30 A

21.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

80 nC

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ10S04M3L,LXHQ

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757-TJ10S04M3L,LXHQ

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S/2.33

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S/1.51

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

10 A

44 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

19 nC

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
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TJ80S04M3L,LXHQ

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757-TJ80S04M3L,LXHQ

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S/5.84

S/3.97

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S/2.69

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5.2 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

158 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
1: S/5.22
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XPH4R714MC,L1XHQ

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757-XPH4R714MC,L1XHQ

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S/3.55

S/2.67

S/2.33

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S/2.09

MouseReel Disponible

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: 5,000

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SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

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- 20 V, 10 V

2.1 V

160 nC

- 55 C

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132 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ50S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/8.37
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N.º de artículo del Fabricante
TJ50S06M3L,LXHQ

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757-TJ50S06M3L,LXHQ

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S/8.37

S/5.33

S/3.60

S/2.86

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S/2.42

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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

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13.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

124 nC

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90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

SSM6J808R,LXHF
Toshiba
1: S/4.83
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SSM6J808R,LXHF

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757-SSM6J808RLXHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F

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S/4.83

S/3.03

S/1.99

S/1.55

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S/1.22

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MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

TSOP6F

P-Channel

1 Channel

40 V

7 A

48 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

24.2 nC

+ 150 C

1.5 W

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ20S04M3L,LXHQ
Toshiba
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4,705En existencias

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TJ20S04M3L,LXHQ

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757-TJ20S04M3L,LXHQ

Toshiba

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S/6.03

S/3.82

S/2.54

S/1.99

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S/1.66

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

20 A

22.2 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

37 nC

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/9.11
4,971En existencias

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TJ60S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3L,LXHQ

Toshiba

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S/9.11

S/5.84

S/3.97

S/3.33

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S/2.79

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: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

60 A

11.2 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

156 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723

SSM3J66MFV,L3XHF
Toshiba
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6,473En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J66MFV,L3XHF

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757-SSM3J66MFVL3XHF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723

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S/1.40

S/0.852

S/0.537

S/0.397

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S/0.218

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: 8,000

SMD/SMT

VESM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

480 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

1.6 nC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ15S06M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/6.11
1,452En existencias
6,000En pedido

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TJ15S06M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ15S06M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/6.11

S/3.85

S/2.56

S/2.00

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S/1.67

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

15 A

50 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

36 nC

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/8.17
594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ60S04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/8.17

S/5.22

S/3.51

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.35

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

6.3 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

125 nC

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
1: S/9.73
1,488En existencias
4,000Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
TJ90S04M3L,LXHQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ90S04M3L,LXHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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4,000Se espera el 14/09/2026

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S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.40

S/3.22

Envase tipo carrete

S/2.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

172 nC

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba
1: S/6.11
1,320En existencias
5,000Se espera el 26/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPN9R614MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN9R614MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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5,000Se espera el 26/06/2026

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S/6.11

S/3.87

S/2.57

S/2.01

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.6 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
1: S/9.19
14,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
XPH3R114MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPH3R114MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/9.19

S/5.88

S/4.01

S/3.18

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Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-Advance-8

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 10 V

2.1 V

230 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohma.10V, DFN2020B(WF)Automotive

XSM6J372NW,LXHF
Toshiba
1: S/1.48
36,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
XSM6J372NW,LXHF

N.º de artículo de Mouser
757-XSM6J372NWLXHF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohma.10V, DFN2020B(WF)Automotive

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S/1.48

S/0.915

S/0.576

S/0.428

Envase tipo carrete

S/0.315

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN2020B-6

P-Channel

1 Channel

30 V

24 A

144 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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