MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Resultados: 10

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

NTHL060N065SC1
onsemi
1: S/36.75
569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

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Hoja de datos

569En existencias

S/36.75

S/24.91

S/22.15

S/22.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

47 A

70 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

NTBG015N065SC1
onsemi
1: S/93.30
3,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG015N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG015N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

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Hoja de datos

3,923En existencias

Cinta cortada

S/93.30

S/81.55

S/80.30

S/68.43

Envase tipo carrete

S/67.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

145 A

18 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

283 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V

NTBG060N090SC1
onsemi
1: S/40.91
1,276En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG060N090SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG060N090SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V

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Hoja de datos

1,276En existencias

Cinta cortada

S/40.91

S/33.86

S/31.10

S/27.48

Envase tipo carrete

S/27.48

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

44 A

84 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

NTBG060N065SC1
onsemi
1: S/44.65
334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBG060N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBG060N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

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Hoja de datos

334En existencias

Cinta cortada

S/44.65

S/30.98

S/26.24

S/24.52

Envase tipo carrete

S/24.52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

70 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

74 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

NTHL070N120M3S
onsemi
1: S/27.29
590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL070N120M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL070N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

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Hoja de datos

590En existencias

S/27.29

S/16.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

37 A

91 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

252 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

NTHL075N065SC1
onsemi
1: S/35.62
677En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTHL075N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTHL075N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

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Hoja de datos

677En existencias

S/35.62

S/20.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

85 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3

NVH4L070N120M3S
onsemi
1: S/56.56
217En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVH4L070N120M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L070N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3

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Hoja de datos

217En existencias

S/56.56

S/39.16

S/39.12

S/38.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

64.8 mOhms

- 8 V, + 22 V

3.37 V

47.9 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 650V

NTBL045N065SC1
onsemi
1: S/48.34
1,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBL045N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTBL045N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 650V

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Hoja de datos

1,374En existencias

Cinta cortada

S/48.34

S/30.67

S/30.01

S/28.03

Envase tipo carrete

S/24.13

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

73 A

50 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

348 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

NTH4L015N065SC1
onsemi
1: S/104.75
212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L015N065SC1

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L015N065SC1

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

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Hoja de datos

212En existencias

S/104.75

S/77.54

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

142 A

18 mOhms

- 8 V, + 22 V

4.3 V

283 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

EliteSiC

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

NTH4L070N120M3S
onsemi
1: S/36.08
54,900Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTH4L070N120M3S

N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L070N120M3S

onsemi

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L

Obtenga más información

Hoja de datos

54,900Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

S/36.08

S/22.93

S/16.23

S/16.19

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

37 A

91 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

252 W

Enhancement

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