SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules

GeneSiC Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules are designed for superior performance and robustness while meeting industry-standard footprints with pin-to-pin combability. These modules are robust, high-voltage, high-efficiency SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications. The SiCPAK™ F/G Modules enable expanded applications ranging from 10s kW to MW in rail, EV, fast charging, industry, solar, wind, and energy storage. Epoxy-resin potting technology provides high reliability and improved power/temperature cycling.

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Serie Empaquetado
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module 96En existencias
S/1,084.06
S/1,083.91
S/1,083.79
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM 84En existencias
S/1,143.50
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module 95En existencias
S/981.42
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM 94En existencias
S/1,144.82
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module 95En existencias
S/979.94
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM 94En existencias
S/1,142.80
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module 57En existencias
S/542.54
S/542.42
S/532.69
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM 94En existencias
S/572.24
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module 94En existencias
S/396.80
S/396.61
S/314.51
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM 94En existencias
S/416.81
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module 95En existencias
S/542.26
S/542.15
S/440.51
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM 96En existencias
S/567.45
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray