Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SH8M Dual Nch+Pch Power MOSFET

ROHM Semiconductor SH8M Dual Nch+Pch Power MOSFET includes two 60V MOSFETs in a small, surface-mount SOP8 package with eight terminals. If offers low on-resistance, ±6.5A/±7A drain current ID, 32mΩ to 33mΩ R_DS(on) maximum, and 2W power dissipation. ROHM Semiconductor SH8M Dual Nch+Pch Power MOSFET utilizes Pb-free plating and is halogen free as well as RoHS compliant. The SH8M is Ideal for switching applications.

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Resultados: 11

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 45V 7A

RSS070N05HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.03
3,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RSS070N05HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-RSS070N05HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 45V 7A

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3,947En existencias

Cinta cortada

S/9.03

S/5.76

S/3.97

S/3.15

Envase tipo carrete

S/2.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

45 V

7 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 2NCH 500V .5A

SP8K80TB1
ROHM Semiconductor
1: S/11.25
6,725En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SP8K80TB1

N.º de artículo de Mouser
755-SP8K80TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 2NCH 500V .5A

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6,725En existencias

Cinta cortada

S/11.25

S/7.20

S/4.90

S/4.05

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

500 V

500 mA

11.7 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

3.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 N-CH 30V 3.5A

RXL035N03TCR
ROHM Semiconductor
1: S/3.85
5,870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RXL035N03TCR

N.º de artículo de Mouser
755-RXL035N03TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 N-CH 30V 3.5A

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5,870En existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/2.40

S/1.56

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.895

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363T-6

N-Channel

1 Channel

30 V

3.5 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 45V 9.5A

RSS095N05HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/10.94
4,251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RSS095N05HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-RSS095N05HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 45V 9.5A

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Cinta cortada

S/10.94

S/6.97

S/4.90

S/3.93

S/3.73

Envase tipo carrete

S/3.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

45 V

9.5 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

SH8JE5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/12.49
1,480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH8JE5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-SH8JE5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET

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1,480En existencias

Cinta cortada

S/12.49

S/8.10

S/5.61

S/4.55

S/4.36

Envase tipo carrete

S/4.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

2 Channel

100 V

4.5 A

91 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

SH8MB4TB1
ROHM Semiconductor
1: S/6.70
1,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH8MB4TB1

N.º de artículo de Mouser
755-SH8MB4TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

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1,968En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.83

S/2.23

Envase tipo carrete

S/1.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V, 40 V

4.5 A, 5.5 A

46 mOhms, 55 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.5 nC, 17.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

SH8MC4TB1
ROHM Semiconductor
1: S/6.15
2,467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH8MC4TB1

N.º de artículo de Mouser
755-SH8MC4TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

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2,467En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.89

S/2.60

S/2.05

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V, 60 V

3.5 A, 4 A

95 mOhms, 96 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

3.1 nC, 17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

SH8ME5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.96
1,073En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH8ME5TB1

N.º de artículo de Mouser
755-SH8ME5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

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Cinta cortada

S/9.96

S/6.42

S/4.40

S/3.53

Envase tipo carrete

S/3.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

1 Channel

100 V

4.5 A, 4.5 A

58 mOhms, 91 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

6.7 nC, 52 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 6.5A/7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

SH8MC5TB1
ROHM Semiconductor
1: S/9.77
1,224En existencias
12,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SH8MC5TB1

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755-SH8MC5TB1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 6.5A/7.0A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET

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1,224En existencias

12,500En pedido

Cinta cortada

S/9.77

S/6.31

S/4.32

S/3.46

S/3.33

Envase tipo carrete

S/3.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

60 V, 60 V

6.5 A, 7 A

32 mOhms, 33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 NPCH 45V 4.5A

SP8M24HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/10.04
1,225En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SP8M24HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-SP8M24HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 NPCH 45V 4.5A

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1,225En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.46

S/4.40

S/3.80

S/3.36

Envase tipo carrete

S/3.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

45 V

3.5 A, 4.5 A

46 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V, 2.5 V

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 P-CH 45V 6A

RSS060P05HZGTB
ROHM Semiconductor
1: S/9.85
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RSS060P05HZGTB

N.º de artículo de Mouser
755-RSS060P05HZGTB

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 P-CH 45V 6A

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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S/9.85

S/6.34

S/4.36

S/3.48

S/3.46

Envase tipo carrete

S/3.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

45 V

6 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

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