XPN12006NC,L1XHQ

Toshiba
757-XPN12006NCL1XHQ
XPN12006NC,L1XHQ

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/6.89 S/6.89
S/4.13 S/41.30
S/2.80 S/280.00
S/2.28 S/1,140.00
S/2.12 S/2,120.00
S/2.08 S/5,200.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
S/1.82 S/9,100.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
20 A
23.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tiempo de caída: 8 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 5000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 33 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Peso de la unidad: 20 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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