Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

PANJIT 80V and 100V Shield Gate Trench (SGT) N-Channel MOSFETs feature a low R_DS(ON) and a high switching speed. These devices offer low reverse transfer capacitance and utilize green molding compounds, as specified in the IEC 61249 standard. These PANJIT MV enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0, and are 100% UIS/Rg tested. These devices are available in various low-profile packages that save space, including DFN3333S-8L, DFN5060-8L, DFN5060S-8L, TO-220AB-L, TO-252AA, TO-263, and TOLL. Typical applications include PD chargers, adapters, lighting, home appliances, and DC-DC converters.

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Resultados: 24

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

PSMP050N10NS2_T0_00601
Panjit
1: S/10.12
1,707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMP050N10NS2_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMP050N10NS2T06

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

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Hoja de datos

1,707En existencias

S/10.12

S/4.98

S/4.44

S/4.09

S/3.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40.5 nC

- 55 C

+ 150 C

138 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET

PSMQC040N10NS2_R2_00601
Panjit
1: S/9.77
5,874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC040N10NS2_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMQC040N10NS2R2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.4mohm Excellect low FOM MOSFET

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Hoja de datos

5,874En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/6.31

S/4.32

S/3.93

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.61

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

122 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm MV MOSFET

PSMB055N08NS1_R2_00601
Panjit
1: S/7.20
1,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMB055N08NS1_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMB055N08NR2601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 5.5mohm MV MOSFET

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Hoja de datos

1,163En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/5.92

S/4.01

S/2.76

Envase tipo carrete

S/2.53

S/2.38

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

108 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.75 V

65.8 nC

- 55 C

+ 150 C

113.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market

PSMB033N10NS2_R2_00201
Panjit
1: S/18.61
2,238En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PSMB033N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMB033N10NS2R22

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/ 3.3mohms / TO-263AB for Industrail market

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2,238En existencias

Cinta cortada

S/18.61

S/12.30

S/9.61

S/8.56

Envase tipo carrete

S/7.28

S/6.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

Through Hole

TO-263AB-3

N-Channel

1 Channel

100 V

219 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/3.3mO / TO-220AB-L

PSMP033N10NS2_T0_00601
Panjit
1: S/13.97
1,988En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PSMP033N10NS2_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMP033N1T000601

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/3.3mO / TO-220AB-L

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Hoja de datos

1,988En existencias

S/13.97

S/9.11

S/7.08

S/5.96

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-L-3

N-Channel

1 Channel

100 V

219 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.4m ohms Best-in-Class FOM MOSFET for DC to DC converter

PSMQC040N08NS2_R2_00201
Panjit
1: S/10.00
5,775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC040N08NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC040N08NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 4.4m ohms Best-in-Class FOM MOSFET for DC to DC converter

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5,775En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/6.46

S/4.63

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

80 V

102 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

PSMQC042N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/12.30
5,679En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC042N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC042N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution

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Hoja de datos

5,679En existencias

Cinta cortada

S/12.30

S/8.64

S/6.31

S/5.14

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

109 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

PSMQC078N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/6.15
5,339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC078N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC078N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution

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Hoja de datos

5,339En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.93

S/2.60

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

63 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

65 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC094N10NS2_R2_00201
Panjit
1: S/6.66
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC094N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC094N10NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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Hoja de datos

6,000En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.71

S/3.31

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

61 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

PSMQC098N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/6.23
5,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC098N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC098N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution

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Hoja de datos

5,990En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/4.48

S/3.11

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

PSMQC280N10LS2_R2_00201
Panjit
1: S/4.75
7,853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC280N10LS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC280N10LS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution

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Hoja de datos

7,853En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.97

S/1.96

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

21 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

29.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

PSMB050N10NS2_R2_00601
Panjit
1: S/9.89
663En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMB050N10NS2_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PJMB050N10NS2R26

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET

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Hoja de datos

663En existencias

Cinta cortada

S/9.89

S/6.38

S/4.36

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

40.5 nC

- 55 C

+ 150 C

138 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET

PSMP032N08NS1_T0_00601
Panjit
1: S/9.77
1,940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMP032N08NS1_T0_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMP032N08NT0601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm Tjmax 175C MV MOSFET

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Hoja de datos

1,940En existencias

S/9.77

S/4.79

S/4.28

S/3.93

S/3.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

166 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.75 V

103.5 nC

- 55 C

+ 175 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

PSMQC074N10NS2_R2_00201
Panjit
1: S/8.87
1,610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMQC074N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQC074N10NS2

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application

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Hoja de datos

1,610En existencias

Cinta cortada

S/8.87

S/5.68

S/3.85

S/3.21

Envase tipo carrete

S/2.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

64 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm MV MOSFET

PSMB032N08NS1_R2_00601
Panjit
1: S/9.38
790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMB032N08NS1_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMB032N08NR2601

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 3.4mohm MV MOSFET

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Hoja de datos

790En existencias

Cinta cortada

S/9.38

S/6.03

S/4.13

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.61

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

161 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.75 V

103.5 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/8.1mO / TO-252AA

PSMD081N10LS2_L2_00601
Panjit
3,000: S/1.77
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PSMD081N10LS2_L2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMD081N1L200601

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/8.1mO / TO-252AA

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.77

S/1.68

S/1.66

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

100 V

76 A

12.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

PSMN015N10NS2_R2_00201
Panjit
2,000: S/15.06
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMN015N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMN015N10NS2R22

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/15.06

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

N-Channel

100 V

395 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market

PSMN028N10NS2_R2_00201
Panjit
2,000: S/8.02
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PSMN028N10NS2_R2_00201

N.º de artículo de Mouser
241-PSMN028N10NS2R22

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/8.02

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

N-Channel

100 V

240 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

65 nC

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/6.8mO / DFN3333S-8L

PSMQE070N08LS2_R2_00601
Panjit
10,000: S/1.41
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PSMQE070N08LS2_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQE070N08LS260

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/6.8mO / DFN3333S-8L

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/1.41

Min.: 10,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN3333S-8L

N-Channel

1 Channel

80 V

63.8 A

6.8 mOhms

20 V

2.3 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/8.7mO / DFN3333S-8L

PSMQE090N08LS2_R2_00601
Panjit
10,000: S/1.18
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
PSMQE090N08LS2_R2_00601

N.º de artículo de Mouser
241-PSMQE090N08LS260

Nuevo producto

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 80V/8.7mO / DFN3333S-8L

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/1.18

Min.: 10,000
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SMD/SMT

DFN3333S-8L

N-Channel

1 Channel

80 V

55 A

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2.3 V

18 nC

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DFN3333S-8L

N-Channel

1 Channel

100 V

54 A

9.5 mOhms

20 V

3.8 V

15.7 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

Reel

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DFN3333S-8L

N-Channel

1 Channel

100 V

50.1 A

9.6 mOhms

20 V

2.2 V

24.8 nC

- 55 C

+ 175 C

53.6 W

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S/4.83

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SMD/SMT

DFN5060S-8L

N-Channel

80 V

307 A

2 mOhms

20 V

3.8 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Excellent FOM / 100V/2.8mO /DFN5060S-8L

PSMQF028N10NS2_R2_00601
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80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

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108 A
109 A
120 A
122 A
161 A
166 A
219 A
240 A
307 A

1.5 mOhms
2 mOhms
2.8 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.4 mOhms
4.7 mOhms
5 mOhms
5.5 mOhms
6.8 mOhms
7.4 mOhms
7.8 mOhms
8.7 mOhms
9.4 mOhms
9.5 mOhms
9.6 mOhms
9.8 mOhms
12.5 mOhms