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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0A/3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
Hoja de datos
26,743En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 3 A, 3.5 A 90 mOhms, 91 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC, 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A/5.0A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
Hoja de datos
2,195En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSMT-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 4.5 A, 5 A 44 mOhms, 41 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC, 17.2 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape