Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.

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Resultados: 59

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50P04_L2_00001
Panjit
1: S/4.75
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD50P04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50P04L200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

Cinta cortada

S/4.75

S/2.94

S/1.93

S/1.52

S/1.33

Envase tipo carrete

S/1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

9 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD60N04V-AU_L2_002A1
Panjit
3,000: S/5.14
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD60N04V-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD60N04VAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.14

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

154 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD80N04S-AU_L2_002A1
Panjit
3,000: S/6.97
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD80N04S-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD80N04SAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.97

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

190 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5540-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/12.07
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5540-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5540-AUR202A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.52

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060X-8

N-Channel

1 Channel

40 V

192 A

1.88 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5548-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.16
Plazo de entrega 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5548-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5548AUR2002A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega 28 Semanas

Cinta cortada

S/4.16

S/2.60

S/1.70

S/1.31

S/1.18

Envase tipo carrete

S/1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

48 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD100N04-AU_L2_000A1
Panjit
3,000: S/2.91
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD100N04-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD100N04AUL2000

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.91

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

83.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD40N04-AU_L2_000A1
Panjit
3,000: S/1.24
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD40N04-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD40N04AUL2000A

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.24

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

43.2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD40N04_L2_00001
Panjit
1: S/3.50
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD40N04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD40N04L200001

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

Cinta cortada

S/3.50

S/2.18

S/1.41

S/1.08

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.837

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5948-AU_R2_002A1
Panjit
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5948-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5948AUR2002A1

Verificar estado con la fábrica

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

Cotización

SMD/SMT

DFN-5060B-8

N-Channel

2 Channel

40 V

37 A

12.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

40V Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.2 A
3.1 A
4.3 A
9 A
16 A
21 A
35 A
37 A
40 A
41 A
42 A
43 A
45 A
48 A
50 A
55 A
60 A
61 A
64 A
67 A

1.88 mOhms
2.1 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
3.6 mOhms
5 mOhms
5.3 mOhms
5.6 mOhms
5.9 mOhms
6 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
8.8 mOhms
9.1 mOhms
9.4 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms

4.4 nC
4.8 nC
6 nC
7.3 nC
8.3 nC
9.5 nC
10 nC
13 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
32 nC
34 nC
41 nC
43 nC
50 nC
54 nC
56 nC
59 nC

1.25 W
2 W
2.5 W
3 W
3.3 W
22 W
25 W
30 W
32 W
36 W
41 W
42 W
43 W
43.2 W
54 W
63 W
64.9 W
65 W
68 W
71 W