Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.

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Resultados: 59

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4435EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.45
4,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4435EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4435EP-AUR22A

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

4,415En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.34

S/2.20

S/1.73

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Envase tipo carrete

S/1.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

45 A

12.5 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4437EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/3.50
4,718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4437EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4437EP-AUR22A

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

4,718En existencias

Cinta cortada

S/3.50

S/2.17

S/1.41

S/1.08

S/1.00

Envase tipo carrete

S/1.00

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

41 A

15.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4439EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/3.08
4,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4439EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4439EP-AUR22A

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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4,882En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.90

S/1.23

S/0.934

S/0.891

Envase tipo carrete

S/0.891

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SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

19.1 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4548P-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/3.62
3,324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4548P-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4548PAUR202A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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3,324En existencias

Cinta cortada

S/3.62

S/2.26

S/1.47

S/1.12

S/1.11

Envase tipo carrete

S/1.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

40 V

43 A

9.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5453E-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.14
893En existencias
3,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5453E-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5453EAUR202A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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893En existencias

3,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/5.14

S/3.24

S/2.13

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

P-Channel

1 Channel

40 V

61 A

11.3 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

56 nC

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+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5540V-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/9.30
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5540V-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5540V-AUR22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.96

S/4.05

S/3.89

Envase tipo carrete

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060X-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45P04_L2_00001
Panjit
1: S/5.10
1,125En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD45P04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD45P04L200001

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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1,125En existencias

Cinta cortada

S/5.10

S/3.19

S/2.11

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

45 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5544-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/6.15
3,036En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5544-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5544AUR2002A1

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Cinta cortada

S/6.15

S/3.88

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3449-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.60
11,895En existencias
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PJA3449-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3449AUR1000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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11,895En existencias

12,000En pedido

Cinta cortada

S/1.60

S/0.977

S/0.615

S/0.459

S/0.409

Envase tipo carrete

S/0.374

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

2.2 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

7.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4453EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.49
3En existencias
10,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4453EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4453EP-AUR22A

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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3En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/5.49

S/3.41

S/1.86

S/1.44

S/1.39

Envase tipo carrete

S/1.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

40 V

55 A

11.6 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3441-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.95
27,017Se espera el 5/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
PJA3441-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3441AUR1000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

27,017Se espera el 5/04/2027

Cinta cortada

S/1.95

S/1.20

S/0.763

S/0.572

Envase tipo carrete

S/0.428

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

3.1 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3440-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.83
18,000Se espera el 20/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJA3440-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3440AUR1000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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18,000Se espera el 20/11/2026

Cinta cortada

S/1.83

S/1.12

S/0.705

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.35

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

4.3 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5546-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.63
3,000Se espera el 21/10/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5546-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5546AUR2002A1

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

3,000Se espera el 21/10/2026

Cinta cortada

S/4.63

S/2.89

S/1.90

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD55N04V-AU_L2_002A1
Panjit
3,000: S/4.59
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD55N04V-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD55N04VAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.59

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

128 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD65N04S-AU_L2_002A1
Panjit
3,000: S/4.87
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD65N04S-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD65N04SAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.87

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

167 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD75N04V-AU_L2_002A1
Panjit
3,000: S/6.97
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD75N04V-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD75N04VAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.97

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3440-AU_R2_000A1
Panjit
12,000: S/0.335
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3440-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3440AUR2000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.335

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

4.3 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD100N04_L2_00001
Panjit
3,000: S/2.40
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD100N04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD100N04L200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.40

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD16P04-AU_L2_000A1
Panjit
1: S/3.78
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD16P04-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD16P04AUL2000A

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

Cinta cortada

S/3.78

S/2.34

S/1.53

S/1.17

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.911

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

16 A

68 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD16P04_L2_00001
Panjit
1: S/3.04
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD16P04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD16P04L200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

Cinta cortada

S/3.04

S/1.89

S/1.21

S/0.926

S/0.833

Envase tipo carrete

S/0.833

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

16 A

68 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N04-AU_L2_000A1
Panjit
1: S/4.79
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N04-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N04AUL2000A

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/4.79

S/3.40

S/2.11

S/1.46

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.887

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

21 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD25N04_L2_00001
Panjit
1: S/4.98
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N04L200001

Panjit

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/4.98

S/3.44

S/2.18

S/1.35

S/0.996

Envase tipo carrete

S/0.658

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

21 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45P04-AU_L2_000A1
Panjit
3,000: S/1.51
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD45P04-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD45P04AUL2000A

Panjit

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.51

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

45 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50N04_L2_00001
Panjit
1: S/3.93
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD50N04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50N04L200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

Cinta cortada

S/3.93

S/2.44

S/1.59

S/1.23

S/1.11

Envase tipo carrete

S/1.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50P04-AU_L2_000A1
Panjit
1: S/6.23
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD50P04-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50P04AUL2000A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

Cinta cortada

S/6.23

S/3.86

S/2.54

S/2.00

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

40V Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.2 A
3.1 A
4.3 A
9 A
16 A
21 A
35 A
37 A
40 A
41 A
42 A
43 A
45 A
48 A
50 A
55 A
60 A
61 A
64 A
67 A

1.88 mOhms
2.1 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
3.6 mOhms
5 mOhms
5.3 mOhms
5.6 mOhms
5.9 mOhms
6 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
8.8 mOhms
9.1 mOhms
9.4 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms

4.4 nC
4.8 nC
6 nC
7.3 nC
8.3 nC
9.5 nC
10 nC
13 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
32 nC
34 nC
41 nC
43 nC
50 nC
54 nC
56 nC
59 nC

1.25 W
2 W
2.5 W
3 W
3.3 W
22 W
25 W
30 W
32 W
36 W
41 W
42 W
43 W
43.2 W
54 W
63 W
64.9 W
65 W
68 W
71 W