Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs are low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω. These low-voltage MOSFETs are qualified based on the AEC-Q101 standard, commonly required for automotive-grade devices. The 40V enhancement mode MOSFETs are Lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. Typical applications include low-power system products, such as notebooks, PC motherboards, tablets, and other portable consumer products.

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Resultados: 59

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4451EP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.48
1,286En existencias
5,000Se espera el 4/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4451EP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4451EP-AUR22A

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

1,286En existencias

5,000Se espera el 4/05/2026

Cinta cortada

S/4.48

S/2.80

S/1.84

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.42

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

9.8 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4546P-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.20
3,295En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4546P-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4546PAUR202A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

3,295En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.64

S/1.73

S/1.34

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

40 V

64 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4548P-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/3.19
4,334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4548P-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4548PAUR202A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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4,334En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.98

S/1.28

S/0.977

Envase tipo carrete

S/0.903

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

40 V

43 A

9.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4548VP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.52
4,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4548VP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4548VPAUR22A1

Panjit

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4,971En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.83

S/1.86

S/1.48

Ver

Envase tipo carrete

S/0.973

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

10.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5451E-AU_R2_006A1
Panjit
1: S/4.98
694En existencias
3,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5451E-AU_R2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5451E-AUR26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

694En existencias

3,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/4.98

S/3.13

S/2.06

S/1.83

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.57

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

P-Channel

1 Channel

40 V

67 A

9.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5453E-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.20
2,244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5453E-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5453EAUR202A1

Panjit

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2,244En existencias

Cinta cortada

S/4.20

S/2.62

S/1.72

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

P-Channel

1 Channel

40 V

61 A

11.3 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5544-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.76
456En existencias
3,000Se espera el 4/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5544-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5544AUR2002A1

Panjit

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456En existencias

3,000Se espera el 4/05/2026

Cinta cortada

S/5.76

S/3.63

S/2.41

S/2.33

S/2.23

Envase tipo carrete

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5546-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.32
2,745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5546-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5546AUR2002A1

Panjit

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2,745En existencias

Cinta cortada

S/4.32

S/2.70

S/1.77

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

85 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5546V-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.44
2,780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5546V-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5546VAUR202A1

Panjit

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2,780En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/2.78

S/1.83

S/1.78

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

79 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5548V-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/4.98
2,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5548V-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5548VAUR202A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

2,856En existencias

Cinta cortada

S/4.98

S/3.13

S/2.07

S/1.70

S/1.47

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

45 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3440-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.79
5,965En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3440-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3440AUR1000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

5,965En existencias

Cinta cortada

S/1.79

S/1.10

S/0.697

S/0.522

Envase tipo carrete

S/0.389

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

4.3 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3441-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.63
12,560En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJA3441-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3441AUR1000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

12,560En existencias

Cinta cortada

S/1.63

S/0.993

S/0.627

S/0.467

Envase tipo carrete

S/0.366

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

3.1 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3449-AU_R1_000A1
Panjit
1: S/1.32
5,856En existencias
3,000Se espera el 26/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
PJA3449-AU_R1_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3449AUR1000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

5,856En existencias

3,000Se espera el 26/06/2026

Cinta cortada

S/1.32

S/0.814

S/0.514

S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.335

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

40 V

2.2 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

7.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45P04_L2_00001
Panjit
1: S/4.16
1,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD45P04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD45P04L200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

1,125En existencias

Cinta cortada

S/4.16

S/2.74

S/1.90

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

45 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD50P04_L2_00001
Panjit
1: S/4.63
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD50P04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD50P04L200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/4.63

S/2.89

S/1.90

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

9 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD55N04V-AU_L2_002A1
Panjit
3,000: S/3.93
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD55N04V-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD55N04VAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

128 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD65N04S-AU_L2_002A1
Panjit
3,000: S/4.16
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD65N04S-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD65N04SAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.16

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

167 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD75N04V-AU_L2_002A1
Panjit
3,000: S/5.96
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD75N04V-AU_L2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD75N04VAUL22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.96

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

40 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

63 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3440-AU_R2_000A1
Panjit
12,000: S/0.335
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJA3440-AU_R2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJA3440AUR2000A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.335

Min.: 12,000
Mult.: 12,000

Carrete: 12,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

4.3 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD100N04_L2_00001
Panjit
3,000: S/2.30
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD100N04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD100N04L200001

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.30

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD16P04-AU_L2_000A1
Panjit
3,000: S/0.996
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD16P04-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD16P04AUL2000A

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Envase tipo carrete

S/0.996

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

16 A

68 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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PJD16P04_L2_00001
Panjit
1: S/2.76
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD16P04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD16P04L200001

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Cinta cortada

S/2.76

S/1.72

S/1.11

S/0.845

Envase tipo carrete

S/0.841

S/0.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

16 A

68 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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PJD25N04-AU_L2_000A1
Panjit
1: S/3.62
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N04-AU_L2_000A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N04AUL2000A

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cinta cortada

S/3.62

S/3.54

Envase tipo carrete

S/1.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

21 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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PJD25N04_L2_00001
Panjit
1: S/2.76
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD25N04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD25N04L200001

Panjit

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Cinta cortada

S/2.76

S/2.72

Envase tipo carrete

S/0.736

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

21 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD40N04_L2_00001
Panjit
1: S/3.27
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJD40N04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD40N04L200001

Panjit

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Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

Cinta cortada

S/3.27

S/2.03

S/1.32

S/1.01

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.782

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

40V Enhancement Mode MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.2 A
3.1 A
4.3 A
9 A
16 A
21 A
35 A
37 A
40 A
41 A
42 A
43 A
45 A
48 A
50 A
55 A
60 A
61 A
64 A
67 A

1.88 mOhms
2.1 mOhms
2.5 mOhms
2.7 mOhms
3 mOhms
3.3 mOhms
3.6 mOhms
5 mOhms
5.3 mOhms
5.6 mOhms
5.9 mOhms
6 mOhms
6.3 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
8.8 mOhms
9.1 mOhms
9.4 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms

4.4 nC
4.8 nC
6 nC
7.3 nC
8.3 nC
9.5 nC
10 nC
13 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
32 nC
34 nC
41 nC
43 nC
50 nC
54 nC
56 nC
59 nC

1.25 W
2 W
2.5 W
3 W
3.3 W
22 W
25 W
30 W
32 W
36 W
41 W
42 W
43 W
43.2 W
54 W
63 W
64.9 W
65 W
68 W
71 W