Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL COOL FOR INDUSTRIAL
NTMTSC4D3N15MC
onsemi
1:
S/31.84
12 En existencias
3,000 Se espera el 13/11/2026
N.º de artículo de Mouser
863-NTMTSC4D3N15MC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL COOL FOR INDUSTRIAL
12 En existencias
3,000 Se espera el 13/11/2026
1
S/31.84
10
S/22.42
3,000
S/22.42
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
Dual Cool 88-8
N-Channel
1 Channel
150 V
174 A
4.45 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
79 nC
- 55 C
+ 175 C
293 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR AUTOMOTIVE
NVBLS1D7N08H
onsemi
1:
S/24.87
289 En existencias
2,000 Se espera el 5/01/2028
N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS1D7N08H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL FOR AUTOMOTIVE
289 En existencias
2,000 Se espera el 5/01/2028
1
S/24.87
10
S/16.70
100
S/12.03
500
S/11.09
1,000
S/10.63
2,000
S/10.47
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-LL8-8
N-Channel
1 Channel
80 V
241.3 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
121 nC
- 55 C
+ 175 C
237.5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
NTMFS4D0N08XT1G
onsemi
1:
S/8.45
23,984 En pedido
N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D0N08XT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
23,984 En pedido
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En pedido:
7,484 Se espera el 11/09/2026
10,500 Se espera el 3/05/2027
Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas
1
S/8.45
10
S/5.37
100
S/3.63
500
S/2.90
1,000
S/2.34
1,500
S/2.34
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500
Carrete :
1,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel
1 Channel
80 V
119 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
21 nC
- 55 C
+ 170 C
107 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 64MOHM MOSFET
NTMT064N65S3H
onsemi
1:
S/41.03
12,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
863-NTMT064N65S3H
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 64MOHM MOSFET
12,000 En pedido
Ver fechas
En pedido:
3,000 Se espera el 8/01/2027
6,000 Se espera el 3/03/2027
3,000 Se espera el 16/04/2027
Plazo de entrega de fábrica:
51 Semanas
1
S/41.03
10
S/28.22
100
S/22.50
500
S/21.49
3,000
S/20.32
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDFN-4
N-Channel
1 Channel
650 V
40 A
64 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
82 nC
- 55 C
+ 150 C
260 W
Enhancement
SuperFET III
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL
NTMTS4D3N15MC
onsemi
1:
S/36.32
6,000 Se espera el 11/06/2027
N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS4D3N15MC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR INDUSTRIAL
6,000 Se espera el 11/06/2027
1
S/36.32
10
S/24.83
100
S/19.70
500
S/18.49
1,000
S/18.33
3,000
S/17.32
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
150 V
174 A
4.45 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
79 nC
- 55 C
+ 175 C
293 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 DUAL COOL 1.6 MOHMS MAX
onsemi NTMTSC1D6N10MCTXG
NTMTSC1D6N10MCTXG
onsemi
1:
S/32.85
15,000 Se espera el 8/01/2027
N.º de artículo de Mouser
863-TMTSC1D6N10MCTXG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 DUAL COOL 1.6 MOHMS MAX
15,000 Se espera el 8/01/2027
1
S/32.85
10
S/22.77
100
S/17.67
500
S/16.35
1,000
S/15.88
3,000
S/14.99
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
267 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
291 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.5MO
+1 imagen
NTBGS1D5N06C
onsemi
1:
S/20.44
1,526 Se espera el 8/09/2026
N.º de artículo de Mouser
863-NTBGS1D5N06C
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET D2PAK7 60V 1.5MO
1,526 Se espera el 8/09/2026
1
S/20.44
10
S/13.39
100
S/9.96
500
S/8.37
800
S/8.37
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
60 V
267 A
1.62 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
78.6 nC
- 55 C
+ 175 C
211 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 22MOHM PQFN56
NTMFS022N15MC
onsemi
1:
S/13.94
3,000 Se espera el 12/02/2027
N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS022N15MC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V 22MOHM PQFN56
3,000 Se espera el 12/02/2027
1
S/13.94
10
S/9.11
100
S/6.34
500
S/5.25
1,000
S/5.10
3,000
S/4.79
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
150 V
41.9 A
22 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
80.6 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
NVMFS5C406NLT1G
onsemi
1:
S/23.59
1,261 Se espera el 22/09/2026
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C406NLT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
1,261 Se espera el 22/09/2026
1
S/23.59
10
S/15.76
100
S/11.33
500
S/10.32
1,000
S/10.24
1,500
S/10.24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
40 V
362 A
700 uOhms
- 20 V, 20 V
2 V
149 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL
NTMFS005N10MCLT1G
onsemi
1:
S/13.00
5,999 Se espera el 29/09/2026
N.º de artículo de Mouser
863-TMFS005N10MCLT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL
5,999 Se espera el 29/09/2026
1
S/13.00
10
S/8.21
100
S/5.76
1,500
S/5.76
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
Carrete :
1,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
100 V
105 A
5.1 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
NTMJS1D0N04CTWG
onsemi
3,000:
S/7.12
18,000 Existencias en fábrica disponibles
N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS1D0N04CTWG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
18,000 Existencias en fábrica disponibles
Comprar
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
40 V
300 A
920 uOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
86 nC
- 55 C
+ 175 C
166 W
Enhancement
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA
NTMFS1D7N03CGT1G
onsemi
1:
S/7.79
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D7N03CGT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
1
S/7.79
10
S/4.90
100
S/3.22
500
S/2.55
1,000
S/2.27
1,500
S/2.27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
30 V
170 A
1.74 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
87 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
NTMJS0D9N04CLTWG
onsemi
3,000:
S/4.48
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS0D9N04CLTWG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Comprar
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
LFPAK-8
N-Channel
1 Channel
40 V
330 A
820 uOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
Reel