Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 7

Filtros aplicados:

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 2NCH 60V 5.5A

QH8KC6TCR
ROHM Semiconductor
1: S/6.62
4,184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
QH8KC6TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8KC6TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 2NCH 60V 5.5A

Obtenga más información

Hoja de datos

4,184En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.28

S/2.88

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.75

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

2 Channel

60 V

5.5 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 2NCH 40V 8A

QH8KB6TCR
ROHM Semiconductor
1: S/6.81
2,436En existencias

N.º de artículo del Fabricante
QH8KB6TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8KB6TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 2NCH 40V 8A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,436En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.36

S/2.88

S/2.27

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

2 Channel

40 V

8 A

17.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.0A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET: The Power MOSFET QH8KE5 is suitable for switching power supply and motor drive.

QH8KE5TCR
ROHM Semiconductor
1: S/4.05
4,442En existencias

N.º de artículo del Fabricante
QH8KE5TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8KE5TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.0A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET: The Power MOSFET QH8KE5 is suitable for switching power supply and motor drive.

Obtenga más información

Hoja de datos

4,442En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.52

S/1.65

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

2 Channel

100 V

2 A

202 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

QH8KE6TCR
ROHM Semiconductor
1: S/5.64
3,025En existencias

N.º de artículo del Fabricante
QH8KE6TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8KE6TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,025En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/3.57

S/2.42

S/1.86

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.50

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

2 Channel

100 V

4 A

56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

QH8ME5TCR
ROHM Semiconductor
1: S/4.67
2,745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
QH8ME5TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8ME5TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

2,745En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/2.93

S/1.93

S/1.50

Envase tipo carrete

S/1.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

100 V

2 A

202 mOhms, 270 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.8 nC, 19.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

QH8KB5TCR
ROHM Semiconductor
1: S/4.36
1,213En existencias
3,000Se espera el 23/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
QH8KB5TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8KB5TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,213En existencias

3,000Se espera el 23/07/2026

Cinta cortada

S/4.36

S/2.74

S/2.12

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.09

S/1.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

2 Channel

40 V

4.5 A

44 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

QH8KC5TCR
ROHM Semiconductor
1: S/4.63
739En existencias
12,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
QH8KC5TCR

N.º de artículo de Mouser
755-QH8KC5TCR

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

739En existencias

12,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/4.63

S/2.91

S/1.92

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSMT-8

N-Channel

2 Channel

60 V

3 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte