MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMW120R045M1XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/91.79
735 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-AIMW120R045M1XKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
735 En existencias
1
S/91.79
10
S/73.84
100
S/64.69
480
S/63.56
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
52 A
59 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.7 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
228 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/27.44
365 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R140M1HXKS
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
365 En existencias
1
S/27.44
10
S/18.65
100
S/15.41
480
S/14.75
1,200
S/14.29
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
19 A
182 mOhms
- 7 V, + 23 V
3.5 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/61.66
1,234 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
1,234 En existencias
1
S/61.66
10
S/43.21
100
S/36.82
480
S/33.44
1,200
Ver
1,200
S/31.80
2,640
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47 A
34 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/50.02
27 En existencias
240 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
27 En existencias
240 En pedido
1
S/50.02
10
S/29.66
100
S/25.22
480
S/21.95
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/23.51
10,930 Se espera el 26/08/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
10,930 Se espera el 26/08/2026
1
S/23.51
10
S/15.41
100
S/11.33
500
S/10.08
1,000
S/8.95
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
5.2 A
1 Ohms
- 10 V, + 20 V
4.5 V
5 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/71.70
2,160 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R030M1HXKS
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
2,160 En pedido
Ver fechas
En pedido:
720 Se espera el 20/08/2026
Plazo de entrega de fábrica:
45 Semanas
1
S/71.70
10
S/47.41
100
S/40.95
480
S/39.82
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
56 A
40 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/36.90
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
1
S/36.90
10
S/25.96
100
S/21.02
480
S/18.68
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
28 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
CoolSiC
Perú