MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMW120R045M1XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/88.44
830 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-AIMW120R045M1XKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
830 En existencias
1
S/88.44
10
S/63.21
100
S/62.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
52 A
59 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.7 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
228 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/65.90
238 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R030M1HXKS
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
238 En existencias
1
S/65.90
10
S/40.60
100
S/37.21
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
56 A
40 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/57.34
1,300 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
1,300 En existencias
1
S/57.34
10
S/43.75
100
S/34.60
480
S/32.07
1,200
S/31.22
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47 A
34 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/29.62
388 En existencias
N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R140M1HXKS
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
388 En existencias
1
S/29.62
10
S/18.18
100
S/15.26
480
S/14.13
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
19 A
182 mOhms
- 7 V, + 23 V
3.5 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/39.90
29 En existencias
240 Se espera el 29/04/2027
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
29 En existencias
240 Se espera el 29/04/2027
1
S/39.90
10
S/25.92
100
S/20.75
480
S/19.58
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.79
11,000 Se espera el 2/07/2026
N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
11,000 Se espera el 2/07/2026
1
S/20.79
10
S/13.82
100
S/11.21
500
S/9.38
1,000
S/8.14
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
5.2 A
1 Ohms
- 10 V, + 20 V
4.5 V
5 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/33.01
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
1
S/33.01
10
S/19.15
100
S/17.63
480
S/15.06
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
28 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
CoolSiC
Perú