MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
AIMW120R045M1XKSA1
Infineon Technologies
1:
S/84.93
736 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-AIMW120R045M1XKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
736 En existencias
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
52 A
59 mOhms
- 7 V, + 20 V
5.7 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
228 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/43.28
323 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
323 En existencias
1
S/43.28
10
S/30.60
100
S/25.50
480
S/22.69
1,200
S/19.27
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
IMBF170R1K0M1XTMA1
Infineon Technologies
1:
S/20.79
674 En existencias
3,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
674 En existencias
3,000 En pedido
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Existencias:
674 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Se espera el 26/08/2026
2,000 Se espera el 7/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
1
S/20.79
10
S/10.82
100
S/9.85
500
S/8.72
1,000
S/8.21
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :1,000
Detalles
SMD/SMT
TO-263-7
1 Channel
1.7 kV
5.2 A
1 Ohms
- 10 V, + 20 V
4.5 V
5 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/28.61
80 En existencias
240 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R140M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
80 En existencias
240 En pedido
1
S/28.61
10
S/16.62
100
S/15.26
480
S/14.29
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
19 A
182 mOhms
- 7 V, + 23 V
3.5 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/56.83
71 En existencias
1,680 Se espera el 1/09/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
71 En existencias
1,680 Se espera el 1/09/2026
1
S/56.83
10
S/34.22
100
S/33.36
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
47 A
34 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
189 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
IMZ120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/70.45
2,160 En pedido
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R030M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
2,160 En pedido
Ver fechas
En pedido:
720 Se espera el 8/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
S/70.45
10
S/53.68
100
S/44.72
480
S/39.82
1,200
S/37.72
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
56 A
40 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
63 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolSiC
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
S/36.94
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
1
S/36.94
10
S/26.00
100
S/18.37
480
S/16.74
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
28 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
CoolSiC
Perú