MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial
	MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: S/85.48 710En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante AIMW120R045M1XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-AIMW120R045M1XKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 1200v automotive coolsic modules	Hoja de datos	710En existencias	S/85.48 S/63.56	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.7 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/56.91 1,701En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW65R027M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	1,701En existencias	S/56.91 S/34.22 S/33.79	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/40.52 298En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R048M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	298En existencias	S/40.52 S/23.32 S/21.60	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: S/23.55 24,945En pedido	N.º de artículo del Fabricante IMBF170R1K0M1XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Hoja de datos	24,945En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMBF170R1K0M1XTMA1 Existencias: 0 En pedido: 1,945 Se espera el 7/01/2027 23,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/23.55 S/15.41 S/11.52 S/9.65 Envase tipo carrete S/8.37 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000			SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/72.17 2,160En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZ120R030M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Hoja de datos	2,160En pedido	S/72.17 S/54.96 S/45.81 S/40.79 S/38.11	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/32.23 978En pedido NRND	N.º de artículo del Fabricante IMW120R140M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Hoja de datos	978En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IMW120R140M1HXKSA1 Existencias: 0 En pedido: 258 Se espera el 11/10/2027 720 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	S/32.23 S/19.89 S/18.37 S/14.60	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: S/34.10 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IMZA65R072M1HXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	S/34.10 S/20.05 S/16.62 S/16.54	Min.: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC