Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE NTMFS0D6N04XMT1G onsemi 1: S/13.55 366En existencias 9,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D6N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D6N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	366En existencias 9,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS0D6N04XMT1G Existencias: 366 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 4,500 Se espera el 30/10/2026 4,500 Se espera el 10/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/13.55 S/8.06 S/6.19 S/4.94 S/4.52 Envase tipo carrete S/4.52 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	380 A	570 uOhms	20 V	3.5 V	86.4 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS4D0N08XT1G onsemi 1: S/8.52 51En existencias 30,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS4D0N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS4D0N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi on semi single n channel mosfets	Hoja de datos	51En existencias 30,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS4D0N08XT1G Existencias: 51 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 13,500 Se espera el 20/11/2026 10,500 Se espera el 12/01/2027 6,000 Se espera el 1/03/2028 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada S/8.52 S/4.83 S/3.66 S/2.91 Envase tipo carrete S/2.34	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,610 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	1 Channel	80 V	119 A	3.5 mOhms	20 V	3.6 V	21 nC	- 55 C	+ 170 C	107 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS2D1N08XT1G onsemi 1: S/13.58 17,596En existencias 16,500Se espera el 7/04/2027	N.º de artículo del Fabricante NTMFS2D1N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS2D1N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	17,596En existencias 16,500Se espera el 7/04/2027	Cinta cortada S/13.58 S/6.81 S/6.15 S/5.02 S/4.63 Envase tipo carrete S/4.63	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	80 V	201 A	1.9 mOhms	20 V	3.6 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	164 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE NTMFS0D5N04XMT1G onsemi 1: S/14.95 113En existencias 27,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D5N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D5N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	113En existencias 27,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS0D5N04XMT1G Existencias: 113 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 16,500 Se espera el 29/09/2027 10,500 Se espera el 3/11/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/14.95 S/8.72 S/6.81 S/5.33 S/4.98 Envase tipo carrete S/4.98	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	414 A	520 uOhms	20 V	3.5 V	97.5 nC	- 55 C	+ 175 C	163 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS0D7N04XMT1G onsemi 1: S/10.90 1,488En existencias 19,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D7N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D7N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi ntmfs0d7n04xm mosfet	Hoja de datos	1,488En existencias 19,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS0D7N04XMT1G Existencias: 1,488 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 12,000 Se espera el 25/06/2027 7,500 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/10.90 S/7.01 S/4.87 S/3.97 S/3.31 Envase tipo carrete S/3.31	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	323 A	700 uOhms	20 V	3.5 V	72.1 nC	- 55 C	+ 175 C	134 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL NTMFS3D2N10MDT1G onsemi 1: S/18.84 1,849En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS3D2N10MDT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS3D2N10MDT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL Obtenga más información sobre onsemi ntmfs3d2n10md n channel mosfet	Hoja de datos	1,849En existencias	Cinta cortada S/18.84 S/9.73 S/8.84 S/7.63 S/7.20 Envase tipo carrete S/7.20 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	142 A	3.5 mOhms	20 V	4 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	155 W	Enhancement	PowerTrench	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL NTTFS012N10MDTAG onsemi 1: S/9.58 5,251En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTTFS012N10MDTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS012N10MDTAG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL Obtenga más información sobre onsemi nttfs012n10md n channel mosfet	Hoja de datos	5,251En existencias	Cinta cortada S/9.58 S/4.67 S/4.20 S/3.35 S/2.87 Envase tipo carrete S/2.87	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si		WDFN-8													PowerTrench	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS1D1N04XMT1G onsemi 1: S/10.04 9En existencias 3,000Se espera el 2/11/2026	N.º de artículo del Fabricante NTMFS1D1N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS1D1N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	9En existencias 3,000Se espera el 2/11/2026	Cinta cortada S/10.04 S/5.49 S/4.32 S/3.44 S/2.96 Envase tipo carrete S/2.96	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	233 A	1.05 mOhms	20 V	3.5 V	49.1 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS1D3N04XMT1G onsemi 1: S/8.64 33En existencias 6,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS1D3N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS1D3N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	33En existencias 6,000En pedido	Cinta cortada S/8.64 S/4.20 S/3.73 S/2.97 S/2.49 Envase tipo carrete S/2.49	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	195 A	1.3 mOhms	20 V	3.5 V	38.5 nC	- 55 C	+ 175 C	90 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS2D3N04XMT1G onsemi 1: S/7.24 62En existencias 4,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS2D3N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS2D3N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	62En existencias 4,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS2D3N04XMT1G Existencias: 62 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3,000 Se espera el 17/11/2026 1,500 Se espera el 15/11/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/7.24 S/3.93 S/2.90 S/2.28 S/1.80 Envase tipo carrete S/1.80	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	111 A	2.35 mOhms	20 V	3.5 V	22.1 nC	- 55 C	+ 175 C	53 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS3D1N04XMT1G onsemi 1: S/7.47 95En existencias 3,000Se espera el 14/10/2027	N.º de artículo del Fabricante NTMFS3D1N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS3D1N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	95En existencias 3,000Se espera el 14/10/2027	Cinta cortada S/7.47 S/4.63 S/3.04 S/1.99 Envase tipo carrete S/1.71 Ver S/1.82 S/1.62 S/1.58 S/1.56	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	83 A	3.1 mOhms	20 V	3.5 V	15.6 nC	- 55 C	+ 175 C	39 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL NTBLS0D8N08XTXG onsemi 1: S/32.19 28,583En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTBLS0D8N08XTXG N.º de artículo de Mouser 863-NTBLS0D8N08XTXG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL Obtenga más información sobre onsemi ntbls0d8n08x mosfet	Hoja de datos	28,583En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTBLS0D8N08XTXG Existencias: 0 En pedido: 12,583 Se espera el 30/11/2026 16,000 Se espera el 11/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada S/32.19 S/17.44 S/16.04 S/15.65 S/14.75 Envase tipo carrete S/14.75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	457 A	790 uOhms	20 V	3.6 V	174 nC	- 55 C	+ 175 C	325 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS3D0N08XT1G onsemi 1: S/11.52 28,438En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS3D0N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS3D0N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi ntmfs3d0n08x mosfet	Hoja de datos	28,438En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS3D0N08XT1G Existencias: 0 En pedido: 5,938 Se espera el 7/07/2027 22,500 Se espera el 14/07/2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada S/11.52 S/6.11 S/5.06 S/4.09 S/3.64 Envase tipo carrete S/3.64	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,510 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	1 Channel	80 V	154 A	2.6 mOhms	20 V	3.6 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF NTMFWS1D5N08XT1G onsemi 1: S/16.31 18,615En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFWS1D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFWS1D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF Obtenga más información sobre onsemi ntmfws1d5n08x mosfet	Hoja de datos	18,615En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFWS1D5N08XT1G Existencias: 0 En pedido: 615 Se espera el 8/10/2026 6,000 Se espera el 1/01/2027 1,500 Se espera el 15/01/2027 10,500 Se espera el 15/11/2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada S/16.31 S/10.32 S/7.51 S/6.38 S/5.88 Envase tipo carrete S/5.88	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO8FL-8	N-Channel	1 Channel	80 V	253 A	1.43 mOhms	20 V	3.6 V	83 nC	- 55 C	+ 175 C	194 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE NTMFS0D4N04XMT1G onsemi 1: S/16.23 5,907En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D4N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D4N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	5,907En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS0D4N04XMT1G Existencias: 0 En pedido: 4,407 Se espera el 5/04/2027 1,500 Se espera el 12/04/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/16.23 S/8.49 S/7.43 S/6.19 S/5.84 Envase tipo carrete S/5.84	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	509 A	420 uOhms	20 V	3.5 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS2D5N08XT1G onsemi 1: S/12.34 12,003En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS2D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS2D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi ntbls0d8n08x mosfet	Hoja de datos	12,003En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS2D5N08XT1G Existencias: 0 En pedido: 3 Se espera el 26/10/2026 4,500 Se espera el 8/01/2027 3,000 Se espera el 12/03/2027 4,500 Se espera el 2/07/2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada S/12.34 S/6.97 S/5.92 S/4.55 S/4.01 Envase tipo carrete S/4.01	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	80 V	181 A	2.1 mOhms	20 V	3.6 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	148 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL NTMFS3D5N08XT1G onsemi 1: S/9.69 5,747En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS3D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS3D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	5,747En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS3D5N08XT1G Existencias: 0 En pedido: 2,747 Se espera el 30/04/2027 3,000 Se espera el 21/05/2027 Plazo de entrega de fábrica: 39 Semanas	Cinta cortada S/9.69 S/5.49 S/4.13 S/3.48 S/2.81 Envase tipo carrete S/2.81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	80 V	135 A	3 mOhms	20 V	3.6 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	119 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL NTMFS4D2N10MDT1G onsemi 1: S/14.67 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante NTMFS4D2N10MDT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS4D2N10MDT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL Obtenga más información sobre onsemi shielded gate powertrench mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada S/14.67 S/8.33 S/7.16 S/5.57 S/4.98 Envase tipo carrete S/4.98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	100 V	113 A	4.3 mOhms	20 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	PowerTrench	Reel, Cut Tape, MouseReel

Tecnología PowerTrench

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte