Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D0N08XT1G
onsemi
1: S/8.25
5En existencias
10,500Se espera el 11/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

10,500Se espera el 11/09/2026

Cinta cortada

S/8.25

S/5.14

S/3.46

S/2.74

S/2.24

Envase tipo carrete

S/2.24

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

119 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

21 nC

- 55 C

+ 170 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
onsemi
1: S/6.58
5,432En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Obtenga más información

Hoja de datos

5,432En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.20

S/2.79

S/2.19

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

111 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: S/14.25
119En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D5N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D5N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

Obtenga más información

Hoja de datos

119En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/14.25

S/9.26

S/6.50

S/5.41

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
1: S/13.23
131En existencias
4,500Se espera el 18/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

Obtenga más información

Hoja de datos

131En existencias

4,500Se espera el 18/06/2027

Cinta cortada

S/13.23

S/8.60

S/5.92

S/4.71

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86.4 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XMT1G
onsemi
1: S/10.24
180En existencias
19,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D7N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D7N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Obtenga más información

Hoja de datos

180En existencias

19,500En pedido

Cinta cortada

S/10.24

S/6.62

S/4.63

S/3.61

Envase tipo carrete

S/3.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

323 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

72.1 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D0N08XT1G
onsemi
1: S/11.25
664En existencias
18,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D0N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D0N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

664En existencias

18,000En pedido

Cinta cortada

S/11.25

S/7.12

S/4.87

S/4.01

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.42

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,900

: 1,500

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

154 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

NTMFS3D2N10MDT1G
onsemi
1: S/18.18
1,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,955En existencias

Cinta cortada

S/18.18

S/11.99

S/8.49

S/7.28

S/7.12

Envase tipo carrete

S/7.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

142 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

155 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

NTTFS012N10MDTAG
onsemi
1: S/9.26
9,162En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS012N10MDTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS012N10MDTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

9,162En existencias

Cinta cortada

S/9.26

S/5.96

S/4.05

S/3.21

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

WDFN-8

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
onsemi
1: S/9.46
34En existencias
3,000Se espera el 6/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Obtenga más información

Hoja de datos

34En existencias

3,000Se espera el 6/10/2026

Cinta cortada

S/9.46

S/6.07

S/4.13

S/3.29

S/2.78

Envase tipo carrete

S/2.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
1: S/8.49
9En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Obtenga más información

Hoja de datos

9En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.41

S/3.63

S/2.94

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.64

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D5N08XT1G
onsemi
1: S/12.30
5En existencias
16,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

16,500En pedido

Cinta cortada

S/12.30

S/7.98

S/5.49

S/4.59

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.01

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: S/7.12
26En existencias
1,500Se espera el 24/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Obtenga más información

Hoja de datos

26En existencias

1,500Se espera el 24/07/2026

Cinta cortada

S/7.12

S/4.40

S/2.49

S/1.97

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

NTBLS0D8N08XTXG
onsemi
1: S/32.54
33,673En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS0D8N08XTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS0D8N08XTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL

Obtenga más información

Hoja de datos

33,673En pedido

Cinta cortada

S/32.54

S/22.93

S/18.53

S/16.47

S/14.60

Envase tipo carrete

S/14.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,000

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

457 A

790 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

174 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS2D1N08XT1G
onsemi
1: S/13.39
46,329En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D1N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D1N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

46,329En pedido

Cinta cortada

S/13.39

S/8.52

S/6.03

S/5.22

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: S/15.96
5,907En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D4N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D4N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

Obtenga más información

Hoja de datos

5,907En pedido

Cinta cortada

S/15.96

S/10.43

S/7.59

Envase tipo carrete

S/7.59

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

509 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: S/10.00
5,897En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

5,897En pedido

Cinta cortada

S/10.00

S/6.34

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

NTMFWS1D5N08XT1G
onsemi
1: S/16.43
5,880En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFWS1D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFWS1D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Obtenga más información

Hoja de datos

5,880En pedido

Cinta cortada

S/16.43

S/10.74

S/8.02

Envase tipo carrete

S/8.02

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280

: 1,500

SMD/SMT

SO8FL-8

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

NTMFS4D2N10MDT1G
onsemi
1: S/14.91
Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D2N10MDT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D2N10MDT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

Cinta cortada

S/14.91

S/9.69

S/6.81

S/5.68

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Tecnología PowerTrench

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte