Transistores – Mouser Perú

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CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs allow an excellent level of SiC performance while fulfilling the highest quality standards in all common power scheme combinations (AC-DC, DC-DC, and DC-AC). SiC MOSFETs offer additional performance for photovoltaic inverters, energy storage systems, EV charging, power supplies, and motor drives, compared to Si alternatives. Infineon CoolSiC G2 MOSFETs further advance the unique XT interconnection technology (e.g., in discrete housings TO-263-7, TO-247-4) that overcomes the common challenge of improving semiconductor chip performance while maintaining thermal capability. The G2 thermal capability is 12% better, boosting the chip figures-of-merit to a robust level of SiC performance.

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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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Infineon Technologies
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IMBG65R075M2HXTMA1

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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S/28.38

S/19.15

S/13.90

S/13.20

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S/12.34

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Mult.: 1

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.50
762En existencias
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IMLT65R075M2HXTMA1

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726-IMLT65R075M2HXTM

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S/25.50

S/17.13

S/12.34

S/10.70

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S/10.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R075M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.04
849En existencias
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IMT65R075M2HXUMA1

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726-IMT65R075M2HXUMA

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

849En existencias

Cinta cortada

S/26.04

S/17.52

S/12.65

S/11.02

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S/11.02

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SiC MOSFETS

TOLL-8

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
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146En existencias
2,000Se espera el 29/10/2026
Nuevo producto

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IMTA65R075M2HXTMA1

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S/25.46

S/16.82

S/12.26

S/10.43

S/10.00

Envase tipo carrete

S/10.00

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

LHSOF-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
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262En existencias
240Se espera el 28/08/2026
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S/32.74

S/19.31

S/16.23

S/13.97

S/13.86

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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

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IMZA65R075M2HXKSA1
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SiC

Through Hole

TO-247-4

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AIMDQ75R025M2HXTMA1
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AIMDQ75R025M2HXTMA1

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726-AIMDQ75R025M2HXT

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S/62.40

S/43.95

S/37.13

S/30.36

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PG-HDSOP-22

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AIMDQ75R060M2HXTMA1
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S/24.44

S/18.02

S/16.78

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IMDQ75R016M2HXTMA1
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMDQ75R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
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750Se espera el 30/07/2027
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S/15.96

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S/15.96

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PG-HDSOP-22

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Infineon Technologies
1: S/140.40
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1,000Se espera el 15/10/2026

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IMBG120R008M2HXTMA1

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S/140.40

S/105.41

S/105.37

S/99.73

Envase tipo carrete

S/98.44

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/74.89
3,134En existencias

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IMBG120R017M2HXTMA1

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S/74.89

S/53.37

S/47.57

S/47.22

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TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
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1,442En existencias
2,000Se espera el 21/08/2026

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IMBG65R007M2HXTMA1

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S/91.79

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S/85.71

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SiC MOSFETS

SiC

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TO-263-7

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IMZA65R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
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1,073En existencias

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IMZA65R007M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
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S/136.35

S/93.81

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SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

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IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/101.36
458En existencias
1,000Se espera el 7/01/2027

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IMBG120R012M2HXTMA1

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726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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1,000Se espera el 7/01/2027

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S/101.36

S/73.49

S/69.95

S/69.05

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S/63.84

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/62.98
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S/62.98

S/44.41

S/38.07

S/38.03

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S/35.54

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/53.99
1,651En existencias

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IMBG120R026M2HXTMA1

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726-IMBG120R026M2HXT

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S/53.99

S/37.76

S/31.18

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S/29.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.16
310En existencias

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IMBG120R040M2HXTMA1

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726-IMBG120R040M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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S/42.16

S/29.08

S/22.58

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S/21.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.11
1,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R053M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R053M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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S/35.11

S/23.98

S/17.75

Envase tipo carrete

S/16.58

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/26.35
614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R116M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R116M2HXT

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S/26.35

S/17.01

S/12.81

S/12.11

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S/11.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
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1,247En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R181M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R181M2HXT

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S/22.50

S/15.03

S/10.74

S/9.81

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SiC

SMD/SMT

TO-263-7

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IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: S/20.32
5,604En existencias

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IMBG120R234M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

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S/13.51

S/9.61

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S/8.52

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SiC

SMD/SMT

TO-263-7

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IMBG65R015M2HXTMA1
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1: S/72.71
1,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IMBG65R015M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R015M2HXTM

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S/45.23

S/45.19

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SiC

SMD/SMT

TO-263-7

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IMBG65R050M2HXTMA1
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1,020En existencias

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IMBG65R050M2HXTMA1

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726-IMBG65R050M2HXTM

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S/23.55

S/17.32

S/17.17

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S/16.04

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SiC

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TO-263-7

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