Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Resultados: 250

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/4.59
342,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

342,500Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/4.59

S/2.88

S/1.90

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

10.8 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH62M8LPS-13
Diodes Incorporated
2,500: S/2.27
60,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH62M8LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH62M8LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

60,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/2.27

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

96.3 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

DMTH8012LPS-13
Diodes Incorporated
2,500: S/1.18
25,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8012LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8012LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

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Hoja de datos

25,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/1.18

S/1.17

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

80 V

10 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LFVW-7
Diodes Incorporated
1: S/4.13
86,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LFVW-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFVW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

86,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/4.13

S/2.57

S/1.68

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.00

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT3004LFG-13
Diodes Incorporated
3,000: S/1.28
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3004LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3004LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.28

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

PowerDI3333-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LDV-7
Diodes Incorporated
1: S/4.13
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LDV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LDV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

S/4.13

S/2.58

S/1.69

S/1.31

Envase tipo carrete

S/1.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

PowerDI3333-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LFG-13
Diodes Incorporated
3,000: S/1.16
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.16

S/1.07

S/1.02

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

PowerDI3333-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMT3011LDT-7
Diodes Incorporated
3,000: S/1.28
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3011LDT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3011LDT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.28

S/1.19

S/1.15

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

V-DFN3030-K-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4008LFV-13
Diodes Incorporated
3,000: S/1.26
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT4008LFV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4008LFV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.26

S/1.17

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6005LCT
Diodes Incorporated
1: S/10.24
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT6005LCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6005LCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/10.24

S/4.36

S/4.20

S/4.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET Low Rdson

DMT6009LFG-13
Diodes Incorporated
3,000: S/1.63
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT6009LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6009LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET Low Rdson

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.63

S/1.53

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H015LCG-13
Diodes Incorporated
3,000: S/1.58
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H015LCG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LCG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.58

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

V-DFN3333-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

DMT10H072LFDF-13
Diodes Incorporated
10,000: S/0.561
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H072LFDF-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H072LFDF-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.561

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

Carrete: 10,000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

100 V

4 A

62 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2004UFDF-13
Diodes Incorporated
10,000: S/0.817
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT2004UFDF-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT2004UFDF-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.817

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

Carrete: 10,000

SMD/SMT

U-DFN2020-F-6

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2004UFG-13
Diodes Incorporated
1: S/4.01
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT2004UFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT2004UFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/4.01

S/2.49

S/1.63

S/1.25

Envase tipo carrete

S/0.938

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2004UFV-13
Diodes Incorporated
1: S/3.70
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT2004UFV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT2004UFV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/3.70

S/2.27

S/1.55

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.829

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

24 V

70 A

5 mOhms

- 12 V, 12 V

550 mV

29.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2005UDV-13
Diodes Incorporated
1: S/3.85
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT2005UDV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT2005UDV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/2.38

S/1.63

S/1.28

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.868

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

2 Channel

24 V

50 A

7 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

46.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2005UDV-7
Diodes Incorporated
1: S/3.85
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT2005UDV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT2005UDV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Obtenga más información

Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/3.85

S/2.38

S/1.63

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.899

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

PowerDI3333-8

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET

DMT3004LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.72
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3004LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/5.72

S/3.62

S/2.41

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.49

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A

DMT3008LFDF-13
Diodes Incorporated
10,000: S/1.17
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3008LFDF-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3008LFDF-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.17

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

Carrete: 10,000

SMD/SMT

U-DFN2020-F-6

N-Channel

1 Channel

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A

DMT3008LFDF-7
Diodes Incorporated
3,000: S/1.17
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3008LFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3008LFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.17

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

U-DFN2020-F-6

N-Channel

1 Channel

30 V

12 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3009LFVW-13
Diodes Incorporated
3,000: S/0.88
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3009LFVW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3009LFVW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.88

S/0.841

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3009LFVWQ-13
Diodes Incorporated
3,000: S/1.12
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3009LFVWQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3009LFVWQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.12

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

12 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

DMT3022UEV-13
Diodes Incorporated
3,000: S/0.961
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3022UEV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3022UEV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Envase tipo carrete

S/0.961

S/0.934

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17 A

22 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

13.9 nC

1.8 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

DMT3022UEV-7
Diodes Incorporated
1: S/4.13
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DMT3022UEV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3022UEV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

Cinta cortada

S/4.13

S/2.57

S/1.68

S/1.29

S/1.17

Envase tipo carrete

S/1.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17 A

22 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

13.9 nC

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

DMTx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
5 A
7.3 A
7.4 A
7.6 A
7.7 A
8.3 A
8.4 A
8.8 A
8.9 A
9.2 A
9.4 A
9.5 A
9.7 A
10 A
10.4 A
10.6 A
10.8 A
11.6 A
11.76 A

1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.6 mOhms
3.65 mOhms
3.7 mOhms

5.1 nC
7 nC
8.4 nC
10.2 nC
10.6 nC
12 nC
13.6 nC
13.9 nC
14 nC
14.2 nC
15 nC
15.1 nC
15.3 nC
16.7 nC
17 nC
18.9 nC
20 nC
21 nC
21.4 nC
22.2 nC

800 mW
1.2 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
1.67 W
1.8 W
1.9 W
1.98 W
2 W
2.1 W
2.2 W
2.3 W
2.35 W
2.38 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W