Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Resultados: 250

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6005LFG-7
Diodes Incorporated
2,000: S/1.49
4,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT6005LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6005LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

4,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/1.49

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

18 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.98 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H015LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/5.53
17,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H015LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H015LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

Obtenga más información

Hoja de datos

17,500Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/5.53

S/3.50

S/2.32

S/1.82

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMT10H072LFDF-7
Diodes Incorporated
1: S/2.72
84,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H072LFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H072LFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

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Hoja de datos

84,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/2.72

S/2.56

S/1.74

S/1.34

Envase tipo carrete

S/0.627

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

100 V

4 A

62 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT3002LPS-13
Diodes Incorporated
2,500: S/2.09
2,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT3002LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3002LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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2,500Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/2.09

S/1.99

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT3006LFDF-13
Diodes Incorporated
10,000: S/0.607
190,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LFDF-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFDF-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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190,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/0.607

S/0.564

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

Carrete: 10,000

SMD/SMT

U-DFN2020-F-6

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LFV-7
Diodes Incorporated
1: S/4.32
206,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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206,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/4.32

S/2.69

S/1.76

S/1.36

Envase tipo carrete

S/1.07

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3020LFDB-13
Diodes Incorporated
10,000: S/0.736
10,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LFDB-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFDB-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

10,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/0.736

S/0.701

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

Carrete: 10,000

SMD/SMT

U-DFN2020-B-6

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3020LFDF-13
Diodes Incorporated
10,000: S/0.724
30,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LFDF-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFDF-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

30,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/0.724

S/0.689

Min.: 10,000
Mult.: 10,000

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.4 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 25V-30V

DMT31M6LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.51
275,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT31M6LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT31M6LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 25V-30V

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275,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.23

S/2.56

Envase tipo carrete

S/2.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35.8 A

1.35 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

123 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT35M7LFV-13
Diodes Incorporated
3,000: S/1.07
9,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT35M7LFV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT35M7LFV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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9,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/1.07

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

76 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

1.98 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT35M7LFV-7
Diodes Incorporated
1: S/4.36
2,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT35M7LFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT35M7LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/4.36

S/2.74

S/1.80

S/1.39

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

76 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

1.98 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6004SCT
Diodes Incorporated
1: S/10.28
46,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT6004SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6004SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

46,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

S/10.28

S/5.10

S/4.24

S/3.67

S/3.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.65 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

95.4 nC

- 55 C

+ 150 C

113 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF

DMT8012LFG-13
Diodes Incorporated
3,000: S/1.54
6,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMT8012LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF

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Hoja de datos

6,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/1.54

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

80 V

9.5 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.2 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H015SPS-13
Diodes Incorporated
2,500: S/1.79
17,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H015SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H015SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

Obtenga más información

Hoja de datos

17,500Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/1.79

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 175c N-Ch FET 20Vgss 3.8mOhm

DMTH3004LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.93
20,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH3004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH3004LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 175c N-Ch FET 20Vgss 3.8mOhm

Obtenga más información

Hoja de datos

20,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/6.93

S/4.40

S/2.92

S/2.39

Envase tipo carrete

S/1.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMTH3004LPSQ-13
Diodes Incorporated
2,500: S/1.95
2,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH3004LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH3004LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/1.95

S/1.84

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

22 A

3.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

43.7 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH4004LK3Q-13
Diodes Incorporated
2,500: S/2.34
15,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

Obtenga más información

Hoja de datos

15,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/2.34

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A

DMTH4004SK3-13
Diodes Incorporated
2,500: S/2.94
10,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A

Obtenga más información

Hoja de datos

10,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/2.94

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 40Vdss 20Vgss

DMTH4004SPS-13
Diodes Incorporated
2,500: S/2.10
2,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 40Vdss 20Vgss

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/2.10

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH4005SCT
Diodes Incorporated
1: S/8.56
5,850Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4005SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4005SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

Obtenga más información

Hoja de datos

5,850Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

S/8.56

S/4.16

S/3.76

S/3.11

S/2.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

DMTH4007LPS-13
Diodes Incorporated
2,500: S/1.46
15,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

Obtenga más información

Hoja de datos

15,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/1.46

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

29.1 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

DMTH4007SPS-13
Diodes Incorporated
2,500: S/1.75
7,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

Obtenga más información

Hoja de datos

7,500Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/1.75

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.9 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A

DMTH4007SPSQ-13
Diodes Incorporated
2,500: S/2.04
27,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A

Obtenga más información

Hoja de datos

27,500Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/2.04

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.9 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6009SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.28
5,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6009SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6009SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

5,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/4.28

S/2.65

S/1.73

S/1.33

Envase tipo carrete

S/1.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/4.87
21,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LFDFWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFDFWQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

Obtenga más información

Hoja de datos

21,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Cinta cortada

S/4.87

S/3.04

S/2.00

S/1.59

S/1.41

Envase tipo carrete

S/1.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

9.4 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

2.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

DMTx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
5 A
7.3 A
7.4 A
7.6 A
7.7 A
8.3 A
8.4 A
8.8 A
8.9 A
9.2 A
9.4 A
9.5 A
9.7 A
10 A
10.4 A
10.6 A
10.8 A
11.6 A
11.76 A

1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.6 mOhms
3.65 mOhms
3.7 mOhms

5.1 nC
7 nC
8.4 nC
10.2 nC
10.6 nC
12 nC
13.6 nC
13.9 nC
14 nC
14.2 nC
15 nC
15.1 nC
15.3 nC
16.7 nC
17 nC
18.9 nC
20 nC
21 nC
21.4 nC
22.2 nC

800 mW
1.2 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
1.67 W
1.8 W
1.9 W
1.98 W
2 W
2.1 W
2.2 W
2.3 W
2.35 W
2.38 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W