Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Resultados: 250

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

DMT8012LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.03
1,152En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT8012LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

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Hoja de datos

1,152En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.80

S/2.53

S/1.99

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

80 V

65 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT8012LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.25
1,976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT8012LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

1,976En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.36

S/2.29

S/1.82

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

80 V

9.7 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V

DMTH10H005SCT
Diodes Incorporated
1: S/12.53
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H005SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H005SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

51En existencias

S/12.53

S/6.31

S/5.61

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

140 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

111.7 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010LCTB-13
Diodes Incorporated
1: S/8.84
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010LCTB-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010LCTB13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

332En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/5.80

S/4.01

S/3.66

Envase tipo carrete

S/2.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263AB-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

53.7 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010SCT
Diodes Incorporated
1: S/7.71
187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

187En existencias

S/7.71

S/3.68

S/3.35

S/2.66

S/2.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56.4 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H025LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/4.24
782En existencias
2,500Se espera el 30/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H025LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H025LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

782En existencias

2,500Se espera el 30/03/2026

Cinta cortada

S/4.24

S/2.80

S/1.88

S/1.51

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

51.7 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H025LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/5.92
3,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H025LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H025LK3Q13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

3,008En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/3.80

S/2.62

S/2.06

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

51.7 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

3.1 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

DMTH10H025SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/3.89
518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H025SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H025SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K

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Hoja de datos

518En existencias

Cinta cortada

S/3.89

S/2.48

S/1.62

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.993

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

46.3 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

21.4 nC

- 55 C

+ 175 C

3.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMTH3002LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.71
1,771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH3002LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH3002LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

1,771En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/3.78

S/2.65

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

240 A

1.6 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

77 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMTH3004LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/5.80
963En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH3004LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH3004LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

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Hoja de datos

963En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/3.67

S/2.45

S/1.99

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

75 A

4 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMTH32M5LPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/6.97
1,695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH32M5LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH32M5LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

1,695En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/4.44

S/2.97

S/2.35

Envase tipo carrete

S/1.87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

170 A

2.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A

DMTH4004SCTB-13
Diodes Incorporated
1: S/8.21
548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004SCTB-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004SCTB-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A

Obtenga más información

Hoja de datos

548En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.53

S/3.73

S/3.69

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68.6 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A

DMTH4004SCTBQ-13
Diodes Incorporated
1: S/9.23
43En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004SCTBQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A

Obtenga más información

Hoja de datos

43En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/6.07

S/4.16

S/3.83

Envase tipo carrete

S/3.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68.6 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A

DMTH4005SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.31
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4005SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4005SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 3.7mOHm 10Vgs 100A

Obtenga más información

Hoja de datos

428En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/3.97

S/2.62

S/2.11

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A

DMTH4007LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/5.14
1,592En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,592En existencias

Cinta cortada

S/5.14

S/3.36

S/2.31

S/1.83

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

29.1 nC

- 55 C

+ 175 C

59 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH4007SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/5.45
453En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

Obtenga más información

Hoja de datos

453En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.60

S/2.57

S/2.05

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.9 nC

- 55 C

+ 175 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH4008LPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/4.59
77En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4008LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4008LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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Hoja de datos

77En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/3.04

S/2.01

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

64.8 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

55.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH4011SPDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/6.23
1,143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4011SPDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4011SPDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,143En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/3.97

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

2 Channel

40 V

42 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10.6 nC

- 55 C

+ 175 C

37.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH4014LPD-13
Diodes Incorporated
1: S/5.02
1,031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4014LPD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4014LPD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,031En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.16

S/2.12

S/1.66

S/1.50

Envase tipo carrete

S/1.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

2 Channel

40 V

43.6 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

10.2 nC

- 55 C

+ 175 C

42.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V

DMTH43M8LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/5.61
872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V

Obtenga más información

Hoja de datos

872En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.55

S/2.36

S/1.88

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH43M8LPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/4.44
1,668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH43M8LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH43M8LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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1,668En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/2.92

S/1.93

S/1.51

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S/1.18

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Enh Mode FET 41V to 60V TO263

DMTH6004SCTB-13
Diodes Incorporated
1: S/10.98
750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SCTB-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SCTB-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Enh Mode FET 41V to 60V TO263

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750En existencias

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S/10.98

S/7.90

S/5.49

S/4.32

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S/4.32

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Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

95.4 nC

- 55 C

+ 175 C

4.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6005LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/6.19
1,327En existencias
2,500Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6005LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6005LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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2,500Se espera el 15/07/2026

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S/6.19

S/4.36

S/3.08

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.95

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47.1 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6010LPDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/4.59
679En existencias
2,500Se espera el 20/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010LPDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010LPDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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679En existencias

2,500Se espera el 20/07/2026

Cinta cortada

S/4.59

S/3.33

S/2.50

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.88

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-C-8

N-Channel

2 Channel

60 V

47.6 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

40.2 nC

- 55 C

+ 175 C

37.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6010SCT
Diodes Incorporated
1: S/7.90
6En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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S/7.90

S/3.76

S/3.24

S/2.85

S/2.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36.3 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Tube

DMTx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
5 A
7.3 A
7.4 A
7.6 A
7.7 A
8.3 A
8.4 A
8.8 A
8.9 A
9.2 A
9.4 A
9.5 A
9.7 A
10 A
10.4 A
10.6 A
10.8 A
11.6 A
11.76 A

1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.6 mOhms
3.65 mOhms
3.7 mOhms

5.1 nC
7 nC
8.4 nC
10.2 nC
10.6 nC
12 nC
13.6 nC
13.9 nC
14 nC
14.2 nC
15 nC
15.1 nC
15.3 nC
16.7 nC
17 nC
18.9 nC
20 nC
21 nC
21.4 nC
22.2 nC

800 mW
1.2 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
1.67 W
1.8 W
1.9 W
1.98 W
2 W
2.1 W
2.2 W
2.3 W
2.35 W
2.38 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W