Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Resultados: 250

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2004UPS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.01
1,410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT2004UPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT2004UPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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1,410En existencias

Cinta cortada

S/4.01

S/2.51

S/1.64

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.981

Ver

MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

24 V

80 A

5 mOhms

- 12 V, 12 V

550 mV

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT3003LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/4.71
3,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3003LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3003LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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3,782En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.22

Ver

MouseReel Disponible

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Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

62 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/4.48
1,951En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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1,951En existencias

Cinta cortada

S/4.48

S/2.92

S/1.92

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

55.6 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

27.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LFV-13
Diodes Incorporated
1: S/4.05
1,785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LFV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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1,785En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.60

S/1.72

S/1.36

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.02

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.23
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Cinta cortada

S/3.23

S/2.15

S/1.44

S/1.11

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.794

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

16 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3009LFVWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/4.01
1,590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3009LFVWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3009LFVWQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Cinta cortada

S/4.01

S/2.59

S/1.72

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.08

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

12 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

DMT3020LDV-13
Diodes Incorporated
1: S/3.39
378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LDV-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LDV-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

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378En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.08

S/1.37

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.716

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

2 Channel

30 V

32 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

DMT3020LDV-7
Diodes Incorporated
1: S/2.84
1,202En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LDV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LDV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K

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1,202En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/1.93

S/1.30

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.829

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

2 Channel

30 V

32 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3020LFDB-7
Diodes Incorporated
1: S/3.54
1,547En existencias
3,000Se espera el 1/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LFDB-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFDB-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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1,547En existencias

3,000Se espera el 1/05/2026

Cinta cortada

S/3.54

S/2.20

S/1.46

S/1.12

Envase tipo carrete

S/0.868

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

2 Channel

30 V

7.7 A

20 mOhms, 20 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3020LFDF-7
Diodes Incorporated
1: S/3.39
2,939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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2,939En existencias

Cinta cortada

S/3.39

S/2.19

S/1.42

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.825

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.4 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K

DMT3020LSD-13
Diodes Incorporated
1: S/3.08
1,246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LSD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K

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1,246En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/2.07

S/1.39

S/1.08

S/0.977

Envase tipo carrete

S/0.767

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

16 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT32M5LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/6.62
768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT32M5LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT32M5LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

768En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.81

S/2.22

S/2.03

Envase tipo carrete

S/1.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

67.7 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT32M5LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/6.62
1,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT32M5LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT32M5LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

1,880En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.81

S/2.22

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

67.7 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

DMT34M1LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.01
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT34M1LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT34M1LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

S/4.01

S/2.47

S/1.63

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.985

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4003SCT
Diodes Incorporated
1: S/7.55
118En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4003SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4003SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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Hoja de datos

118En existencias

S/7.55

S/3.48

S/2.71

S/2.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

205 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

75.6 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4005SCT
Diodes Incorporated
1: S/10.24
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4005SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4005SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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Hoja de datos

22En existencias

S/10.24

S/5.92

S/4.40

S/4.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

49.1 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4011LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/3.19
4,007En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4011LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4011LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,007En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.97

S/1.28

S/0.977

Envase tipo carrete

S/0.806

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

40 V

30 A

11.5 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

15.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

DMT6007LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/6.27
2,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6007LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6007LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W

Obtenga más información

Hoja de datos

2,994En existencias

Cinta cortada

S/6.27

S/3.97

S/2.65

S/2.08

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6009LCT
Diodes Incorporated
1: S/5.49
88En existencias
1,150Se espera el 1/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMT6009LCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6009LCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

Obtenga más información

Hoja de datos

88En existencias

1,150Se espera el 1/06/2026

S/5.49

S/2.58

S/2.30

S/1.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

37.2 A

12 mOhms

- 16 V, 16 V

700 mV

33.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs

DMT6009LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.40
3,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6009LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6009LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs

Obtenga más información

Hoja de datos

3,125En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/3.40

S/2.36

S/1.97

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

10.8 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

33.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC

DMT6010LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/5.02
491En existencias
2,000Se espera el 12/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMT6010LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6010LFG7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC

Obtenga más información

Hoja de datos

491En existencias

2,000Se espera el 12/06/2026

Cinta cortada

S/5.02

S/3.13

S/2.07

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6012LFDF-7
Diodes Incorporated
1: S/3.54
1,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6012LFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6012LFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

1,994En existencias

Cinta cortada

S/3.54

S/2.43

S/1.64

S/1.31

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.977

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

9.5 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

DMT6016LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.31
4,951En existencias
2,500Se espera el 15/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMT6016LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6016LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

Hoja de datos

4,951En existencias

2,500Se espera el 15/04/2026

Cinta cortada

S/3.31

S/2.19

S/1.47

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.923

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

10.6 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

DMT6016LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/2.37
5,769En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6016LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6016LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A

Hoja de datos

5,769En existencias

Cinta cortada

S/2.37

S/1.88

S/1.41

S/1.09

Envase tipo carrete

S/0.817

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

9.2 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

DMT68M8LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.08
2,642En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT68M8LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT68M8LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

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2,642En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/2.06

S/1.36

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.829

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

28.9 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

31.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

DMTx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
5 A
7.3 A
7.4 A
7.6 A
7.7 A
8.3 A
8.4 A
8.8 A
8.9 A
9.2 A
9.4 A
9.5 A
9.7 A
10 A
10.4 A
10.6 A
10.8 A
11.6 A
11.76 A

1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.6 mOhms
3.65 mOhms
3.7 mOhms

5.1 nC
7 nC
8.4 nC
10.2 nC
10.6 nC
12 nC
13.6 nC
13.9 nC
14 nC
14.2 nC
15 nC
15.1 nC
15.3 nC
16.7 nC
17 nC
18.9 nC
20 nC
21 nC
21.4 nC
22.2 nC

800 mW
1.2 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
1.67 W
1.8 W
1.9 W
1.98 W
2 W
2.1 W
2.2 W
2.3 W
2.35 W
2.38 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W