Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6018LDR-13
Diodes Incorporated
1: S/4.32
30,293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6018LDR-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6018LDR-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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30,293En existencias

Cinta cortada

S/4.32

S/3.06

S/2.08

S/1.71

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Envase tipo carrete

S/1.35

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

V-DFN3030-8

N-Channel, NPN

2 Channel

60 V

8.8 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

13.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6018LDR-7
Diodes Incorporated
1: S/2.61
5,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6018LDR-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6018LDR-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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5,278En existencias

Cinta cortada

S/2.61

S/2.27

S/1.90

S/1.84

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

V-DFN3030-8

N-Channel

2 Channel

60 V

8.8 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

13.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF

DMT8012LFG-7
Diodes Incorporated
1: S/4.32
3,671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT8012LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF

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3,671En existencias

Cinta cortada

S/4.32

S/3.30

S/2.30

S/1.86

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.54

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

80 V

9.5 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

DMTH10H010SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/8.99
3,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010SPSQ13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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3,920En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.92

S/4.05

S/3.38

S/3.32

Envase tipo carrete

S/3.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56.4 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A

DMTH4007SPD-13
Diodes Incorporated
1: S/6.97
11,511En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007SPD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007SPD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A

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11,511En existencias

Cinta cortada

S/6.97

S/4.59

S/3.16

S/2.50

S/2.32

Envase tipo carrete

S/2.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-C-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.9 nC

- 55 C

+ 175 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

DMTH6002LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/9.58
2,733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6002LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6002LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

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2,733En existencias

Cinta cortada

S/9.58

S/6.23

S/4.28

S/3.41

S/3.32

Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

130.8 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMTH6016LFDFW-7
Diodes Incorporated
1: S/3.23
496En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LFDFW-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LFDFW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K

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496En existencias

Cinta cortada

S/3.23

S/2.59

S/1.69

S/1.39

Envase tipo carrete

S/1.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

9.4 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.3 nC

- 55 C

+ 175 C

2.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/6.70
4,951En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6016LSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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4,951En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.28

S/2.85

S/2.25

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

7.6 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H025LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/3.74
2,142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H025LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H025LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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2,142En existencias

Cinta cortada

S/3.74

S/2.78

S/1.89

S/1.49

S/1.35

Envase tipo carrete

S/1.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

47.2 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2004UFV-7
Diodes Incorporated
1: S/3.54
3,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT2004UFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT2004UFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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Hoja de datos

3,029En existencias

Cinta cortada

S/3.54

S/2.21

S/1.49

S/1.10

Envase tipo carrete

S/0.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

24 V

70 A

5 mOhms

- 12 V, 12 V

550 mV

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LDK-7
Diodes Incorporated
1: S/2.57
2,564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LDK-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LDK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

2,564En existencias

Cinta cortada

S/2.57

S/1.75

S/1.15

S/0.884

S/0.79

Envase tipo carrete

S/0.592

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

V-DFN3030-Q-8

N-Channel

1 Channel

30 V

17.1 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3006LFVQ-7
Diodes Incorporated
1: S/4.52
1,739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LFVQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFVQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

1,739En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.82

S/1.85

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3009LFVW-7
Diodes Incorporated
1: S/3.66
1,799En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3009LFVW-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3009LFVW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

1,799En existencias

Cinta cortada

S/3.66

S/2.32

S/1.55

S/1.22

Envase tipo carrete

S/0.954

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC

DMT6010LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/4.71
2,260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6010LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6010LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC

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Hoja de datos

2,260En existencias

Cinta cortada

S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.52

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2.2 W

Enhancement

PowerDI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6017LFV-7
Diodes Incorporated
1: S/3.04
1,833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6017LFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6017LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,833En existencias

Cinta cortada

S/3.04

S/2.08

S/1.39

S/1.09

S/0.981

Envase tipo carrete

S/0.771

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

PowerDI3333-8

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT69M8LFV-7
Diodes Incorporated
1: S/4.67
1,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT69M8LFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT69M8LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,920En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/2.93

S/1.93

S/1.50

Envase tipo carrete

S/1.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

45 A

9.5 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

33.5 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010LCT
Diodes Incorporated
1: S/8.76
65En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010LCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010LCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

Obtenga más información

Hoja de datos

65En existencias

S/8.76

S/4.28

S/3.64

S/3.11

S/2.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

108 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

58.4 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H009LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.76
2,425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H009LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H009LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

Hoja de datos

2,425En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/3.81

S/2.77

S/2.18

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

40.2 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A

DMT10H010LCT
Diodes Incorporated
1: S/8.56
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010LCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010LCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A

Obtenga más información

Hoja de datos

90En existencias

S/8.56

S/5.37

S/3.57

S/3.04

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

98 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H010SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.62
878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

Obtenga más información

Hoja de datos

878En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.32

S/2.95

S/2.33

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

113 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56.4 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT10H015LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/6.31
2,895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H015LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

Obtenga más información

Hoja de datos

2,895En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.68

S/2.11

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

PowerDI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT10H015LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.18
1,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H015LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

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1,400En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.51

S/2.63

S/2.13

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

PowerDI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

DMT10H017LPD-13
Diodes Incorporated
1: S/7.82
965En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H017LPD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H017LPD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

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965En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.49

S/3.80

S/3.06

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

2 Channel

100 V

54.7 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

28.6 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H025SSS-13
Diodes Incorporated
1: S/2.37
4,692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H025SSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H025SSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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4,692En existencias

Cinta cortada

S/2.37

S/2.01

S/1.38

S/1.19

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.907

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

7.4 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

21.4 nC

- 55 C

+ 150 C

12.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2004UFG-7
Diodes Incorporated
1: S/3.93
710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT2004UFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT2004UFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

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S/2.46

S/1.60

S/1.24

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S/0.969

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

24 V

70 A

5 mOhms

- 12 V, 12 V

550 mV

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

DMTx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
5 A
7.3 A
7.4 A
7.6 A
7.7 A
8.3 A
8.4 A
8.8 A
8.9 A
9.2 A
9.4 A
9.5 A
9.7 A
10 A
10.4 A
10.6 A
10.8 A
11.6 A
11.76 A

1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.6 mOhms
3.65 mOhms
3.7 mOhms

5.1 nC
7 nC
8.4 nC
10.2 nC
10.6 nC
12 nC
13.6 nC
13.9 nC
14 nC
14.2 nC
15 nC
15.1 nC
15.3 nC
16.7 nC
17 nC
18.9 nC
20 nC
21 nC
21.4 nC
22.2 nC

800 mW
1.2 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
1.67 W
1.8 W
1.9 W
1.98 W
2 W
2.1 W
2.2 W
2.3 W
2.35 W
2.38 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W