Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

DMTH6004SCT
Diodes Incorporated
1: S/10.51
40En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:

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40En existencias

S/10.51

S/5.25

S/4.48

S/4.40

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

DMT8012LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/5.68
1,946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT8012LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT8012LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A

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1,946En existencias

Cinta cortada

S/5.68

S/3.60

S/2.39

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.48

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MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

44 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH4005SK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/5.37
2,346En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4005SK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4005SK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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2,346En existencias

Cinta cortada

S/5.37

S/3.39

S/2.25

S/1.77

Envase tipo carrete

S/1.37

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

95 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A

DMTH4004LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/7.20
2,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A

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2,415En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.09

S/2.44

Envase tipo carrete

S/1.95

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6004SK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/7.79
1,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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1,999En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.35

S/2.66

Envase tipo carrete

S/2.13

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

95.4 nC

- 55 C

+ 175 C

180 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT68M8LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.71
9En existencias
5,000Se espera el 17/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMT68M8LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT68M8LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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9En existencias

5,000Se espera el 17/04/2026

Cinta cortada

S/4.71

S/2.94

S/1.92

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

14.1 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

2.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMTH4008LFDFWQ-7R
Diodes Incorporated
1: S/3.27
553En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4008LFDFWQ-7R

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4008LFDFWQ7R

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K

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553En existencias

Cinta cortada

S/3.27

S/2.02

S/1.38

S/1.08

S/0.903

Envase tipo carrete

S/0.697

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

U-DFN2020-6

N-Channel

1 Channel

40 V

11.6 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

14.2 nC

- 55 C

+ 175 C

2.35 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6010SCT
Diodes Incorporated
1: S/7.86
414En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6010SCT

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6010SCT

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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414En existencias

S/7.86

S/4.40

S/3.46

S/2.55

S/2.34

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

98 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36.3 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A

DMTH6010LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/6.77
1,502En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A

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1,502En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/5.76

S/4.71

S/3.86

Envase tipo carrete

S/1.90

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

70 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

41.3 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF

DMT6008LFG-13
Diodes Incorporated
1: S/5.10
2,952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6008LFG-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6008LFG-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF

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2,952En existencias

Cinta cortada

S/5.10

S/3.31

S/2.36

S/1.91

Envase tipo carrete

S/1.37

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

13 A

6.5 mOhms

- 12 V, 12 V

2 V

22.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF

DMTH6010LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/6.85
2,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF

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2,498En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.92

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.83

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

41.3 nC

- 55 C

+ 175 C

2.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V

DMT6002LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/10.04
1,121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6002LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6002LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V

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Hoja de datos

1,121En existencias

Cinta cortada

S/10.04

S/6.50

S/4.48

S/3.57

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Envase tipo carrete

S/2.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

130.8 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H015LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.81
2,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H015LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H015LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

2,744En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/3.10

S/2.25

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

7.3 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

33.3 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6017LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/4.01
4,391En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6017LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6017LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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Hoja de datos

4,391En existencias

Cinta cortada

S/4.01

S/2.51

S/1.64

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.965

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

9.2 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.75
2,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

2,434En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.90

S/3.27

S/2.68

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

98.4 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

53.7 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A

DMTH6004SPSQ-13
Diodes Incorporated
1: S/10.00
1,174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A

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Hoja de datos

1,174En existencias

Cinta cortada

S/10.00

S/7.43

S/5.25

S/4.40

S/4.28

Envase tipo carrete

S/3.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

95.4 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

DMTH6009LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/5.96
2,136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6009LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6009LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

Obtenga más información

Hoja de datos

2,136En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/4.01

S/2.88

S/2.27

Envase tipo carrete

S/1.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

14.2 A

10 mOhms

- 16 V, 16 V

700 mV

33.5 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMT2004UFDF-7
Diodes Incorporated
1: S/2.53
3,641En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT2004UFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT2004UFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,641En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.90

S/1.30

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.817

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

24 V

14.1 A

4.8 mOhms

- 12 V, 12 V

550 mV

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

12.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMT3009LDT-7
Diodes Incorporated
1: S/5.61
2,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3009LDT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3009LDT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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Hoja de datos

2,925En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.55

S/2.35

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.39

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

V-DFN3030-K-8

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

11.1 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT10H015LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/6.46
2,410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H015LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

Obtenga más información

Hoja de datos

2,410En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.73

S/2.15

Envase tipo carrete

S/1.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

8.3 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33.3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

DMT36M1LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/2.06
4,868En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT36M1LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT36M1LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,868En existencias

Cinta cortada

S/2.06

S/1.59

S/1.09

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.603

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

30 V

65 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMT3020LFCL-7
Diodes Incorporated
1: S/2.76
2,745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3020LFCL-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3020LFCL-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Hoja de datos

2,745En existencias

Cinta cortada

S/2.76

S/1.69

S/1.11

S/0.872

Envase tipo carrete

S/0.596

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

DMTH6005LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.79
1,904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6005LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6005LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,904En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.36

S/2.66

Envase tipo carrete

S/2.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20.6 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

47.1 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMTH4004LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.06
2,370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4004LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,370En existencias

Cinta cortada

S/5.06

S/4.01

S/2.79

S/2.36

Envase tipo carrete

S/2.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

82.2 nC

- 55 C

+ 175 C

138 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A

DMTH4007SPDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.51
1,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007SPDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007SPDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,980En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.22

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerDI5060-C-8

N-Channel

2 Channel

40 V

45 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.9 nC

- 55 C

+ 175 C

37.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

DMTx MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4 A
5 A
7.3 A
7.4 A
7.6 A
7.7 A
8.3 A
8.4 A
8.8 A
8.9 A
9.2 A
9.4 A
9.5 A
9.7 A
10 A
10.4 A
10.6 A
10.8 A
11.6 A
11.76 A

1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.6 mOhms
3.65 mOhms
3.7 mOhms

5.1 nC
7 nC
8.4 nC
10.2 nC
10.6 nC
12 nC
13.6 nC
13.9 nC
14 nC
14.2 nC
15 nC
15.1 nC
15.3 nC
16.7 nC
17 nC
18.9 nC
20 nC
21 nC
21.4 nC
22.2 nC

800 mW
1.2 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
1.67 W
1.8 W
1.9 W
1.98 W
2 W
2.1 W
2.2 W
2.3 W
2.35 W
2.38 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W