Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 13

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC10DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/8.10
7,779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRC10DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC10DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/8.10

S/5.02

S/3.29

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.00

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.5 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.81
5,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ998DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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5,723En existencias

Cinta cortada

S/9.81

S/6.31

S/4.32

S/3.44

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 2.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

18 nC, 44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W, 32.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF916DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.07
2,128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF916DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF916DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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Cinta cortada

S/9.07

S/5.84

S/3.97

S/3.15

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

30 V

40 A, 60 A

12.7 mOhms, 6.58 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V

14.6 nC, 62 nC

- 55 C

+ 150 C

26.6 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF918DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.04
5,121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF918DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF918DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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Cinta cortada

S/10.04

S/6.46

S/4.40

S/3.52

S/3.24

Envase tipo carrete

S/3.06

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

30 V

40 A, 60 A

6.8 mOhms, 2.7 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V, 1 V

14.6 nC, 37 nC

- 50 C

+ 150 C

26.6 W, 50 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ980DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.07
2,966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ980DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ980DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Cinta cortada

S/9.07

S/5.84

S/3.97

S/3.15

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 1.1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V, 1.1 V

18 nC, 77 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA02DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/10.78
3,702En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRA02DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRA02DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/10.78

S/6.97

S/4.79

S/3.85

S/3.59

Envase tipo carrete

S/3.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

1.65 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS780DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.02
7,411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS780DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS780DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Cinta cortada

S/5.02

S/3.57

S/2.22

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

27.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7772DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.98
5,867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7772DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7772DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/4.98

S/3.11

S/2.05

S/1.59

S/1.44

Envase tipo carrete

S/1.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35.6 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

29.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF914DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.30
2,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF914DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF914DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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Hoja de datos

2,950En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.41

S/4.05

S/3.45

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

25 V

40 A, 60 A

6.2 mOhms, 1.5 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V

14 nC, 65 nC

- 50 C

+ 150 C

26.6 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)

SIZ998BDT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/7.75
2,639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ998BDT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ998BDT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)

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Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

2 Channel

30 V

54.8 A, 94.6 A

33.8 mOhms, 43.9 mOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

12 nC, 31.1 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 32.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4816BDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.85
9,789En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4816BDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4816BDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Hoja de datos

9,789En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/6.11

S/4.32

S/3.46

S/3.18

Envase tipo carrete

S/2.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.8 A, 11.4 A

11.5 mOhms, 18.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.8 nC, 11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W, 2.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC06DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
6,000: S/1.51
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRC06DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC06DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/1.51

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

38.5 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISC06DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
6,000: S/1.80
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISC06DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISC06DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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No en existencias

Cinta cortada

S/1.80

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

38.5 nC

- 55 C

+ 150 C

46.3 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel

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