Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SkyFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SkyFET® Power MOSFETs integrate a MOSFET and a Schottky diode and are ideal for increasing efficiency at light loads and higher frequencies to reduce power losses in servers, notebooks, and VRMs. Their low V_F and Q_rr provide an advantage over standard trench MOSFETs. Other features include increased efficiency for DC-DC converter applications, reduced space by eliminating external Schottky diodes, low-side switch for synchronous rectification, and reduced power losses linked to the body diode of the MOSFET. Typical applications for Vishay / Siliconix SkyFET Power MOSFETs include point of load (PoL), synchronous rectification, VRM, synchronous buck low side for core voltages, and graphics cards.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 14

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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6,683En existencias

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SIZ998DT-T1-GE3

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78-SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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S/8.14

S/5.22

S/3.51

S/2.79

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S/2.27

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 2.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

18 nC, 44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W, 32.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRA02DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/9.73
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SIRA02DP-T1-GE3

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78-SIRA02DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.43

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S/2.81

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

1.65 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

117 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS780DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.89
7,425En existencias

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78-SIS780DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/3.89

S/2.39

S/1.63

S/1.28

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S/0.973

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

27.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7772DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.52
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SI7772DP-T1-GE3

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781-SI7772DP-GE3

Vishay Semiconductors

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S/1.52

S/1.50

S/1.14

S/1.04

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S/1.04

S/0.996

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35.6 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

29.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF916DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIZF916DT-T1-GE3

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78-SIZF916DT-T1-GE3

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S/8.49

S/5.45

S/3.69

S/2.94

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S/2.39

S/2.30

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

30 V

40 A, 60 A

12.7 mOhms, 6.58 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V

14.6 nC, 62 nC

- 55 C

+ 150 C

26.6 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF918DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIZF918DT-T1-GE3

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78-SIZF918DT-T1-GE3

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S/8.29

S/5.33

S/3.60

S/2.87

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S/2.32

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

30 V

40 A, 60 A

6.8 mOhms, 2.7 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V, 1 V

14.6 nC, 37 nC

- 50 C

+ 150 C

26.6 W, 50 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ980DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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78-SIZ980DT-T1-GE3

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S/5.41

S/3.67

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S/2.29

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SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 1.1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V, 1.1 V

18 nC, 77 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4816BDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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12,410En existencias

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SI4816BDY-T1-GE3

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781-SI4816BDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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S/9.23

S/5.96

S/4.05

S/3.23

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S/2.69

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.8 A, 11.4 A

11.5 mOhms, 18.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.8 nC, 11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W, 2.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF914DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/9.23
2,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF914DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF914DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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Cinta cortada

S/9.23

S/5.92

S/4.01

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.72

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

25 V

40 A, 60 A

6.2 mOhms, 1.5 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V

14 nC, 65 nC

- 50 C

+ 150 C

26.6 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F

SIZF920DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/10.24
7,382En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF920DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF920DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F

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7,382En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/6.58

S/4.55

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.59

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

76 A, 197 A

3.07 mOhms, 1.05 mOhms

- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V

1.1 V

29 nC, 125 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W, 74 W

Enhancement

TrenchFET; PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)

SIZ998BDT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.44
2,639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ998BDT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ998BDT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V(S1-S2)

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2,639En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/3.54

S/2.38

S/1.86

Envase tipo carrete

S/1.48

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

2 Channel

30 V

54.8 A, 94.6 A

33.8 mOhms, 43.9 mOhms

- 16 V, 20 V

2.2 V

12 nC, 31.1 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 32.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC10DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/5.49
7,779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRC10DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC10DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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7,779En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.47

S/2.30

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.46

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

3.5 mOhms

- 16 V, 20 V

2.4 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC06DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
6,000: S/1.36
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRC06DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC06DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

S/1.36

S/1.35

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

4 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

38.5 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SISC06DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
6,000: S/1.60
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISC06DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISC06DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/1.55

S/1.54

Min.: 6,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

38.5 nC

- 55 C

+ 150 C

46.3 W

Enhancement

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Reel

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