NVMFS4C306NT1G
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698-NVMFS4C306NT1G
NVMFS4C306NT1G
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 30V NCH
Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
Códigos de cumplimiento
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Clasificaciones de origen
- País de origen:
- Malasia
- País de origen del ensamblaje:
- Malasia
- País de difusión:
- Japón
En existencias: 1,425
-
Existencias:
-
1,425 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
44 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/10.59 | S/10.59 | |
| S/6.81 | S/68.10 | |
| S/4.63 | S/463.00 | |
| S/3.93 | S/1,965.00 | |
| S/3.48 | S/3,480.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500) | ||
| S/3.29 | S/4,935.00 | |
| S/3.13 | S/9,390.00 | |